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  • Mon51.pdf
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    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
    有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
    Mon51pdf
  • NDT2955 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了NDT2955MOSFET，其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管，具有出色的规格，包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通
    NDT2955 VBsemi mosfet datasheet
  • NTGD3148NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：256.54KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RD
    NTGD3148NT1G VBsemi mosfet datasheet
  • NTR4503NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
    NTR4503NT1G VBsemi mosfet datasheet
  • QC-zigbee Rev3.2底板原理图.pdf
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    时间：2021.09.26
    上传者：Argent
    分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习
    QCzigbee Rev32 底板 原理图 pdf
  • QM4002AD VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：379.19KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi引入高性能MOSFET型号QM4002AD（丝印为VBE1410），适用于各种电子应用，展现出色的性能特点。它具有出色的40V电压容忍度和最大50A的电流额定值，10V时的RDS(ON)值
    QM4002AD VBsemi mosfet datasheet
  • RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册
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    时间：2023.11.28
    上传者：雷达客
    RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册
    RadarSensorsARS40821cn 数据手册
  • RSR020N06TL VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：247.31KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    RSR020N06TL是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，10V时的RDS(ON)参数为85mΩ，4.5V时为96mΩ，电压限制为20Vg
    RSR020N06TL VBsemi mosfet datasheet
  • SH-G08+40-Q1.pdf
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    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    SHG0840Q1pdf
  • SI2305DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：240.15KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
    SI2305DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：256.35KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），
    SI2308BDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：255.12KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）
    SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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    大小：296.06KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用
    SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
  • SI2323DDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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    大小：272.2KB
    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：SI2323DDS-T1-GE3  丝印：VB2355  品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A
    SI2323DDST1GE3VB 一种 沟道 sot23 封装 mos
  • SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：239.56KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
    SI2333DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI4946BEY-T1-E3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI4946BEY-T1-E3（VBA3638）是一款N沟道MOS型号，封装为SOP8。该产品具有以下参数：工作电压为60V，最大电流为6A，开通电阻为27mΩ（在10V下），32mΩ（在4.5V下）
    SI4946BEYT1E3 VBsemi mosfet datasheet
  • SIN-A33底板原理图_V1.0.pdf
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    大小：129.02KB
    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    SINA33 底板 原理图 V10pdf
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