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  • IRFR9120NTRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了其最新的MOS管产品，型号为IRFR9120NTRPBF，丝印型号为VBE2102M。这款MOS管属于P沟道类型，具有出色的性能特点。它支持最大-100V的耐压，能够承受高达-10A
    IRFR9120NTRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • IRLML0060TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：247.08KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    IRLML0060TRPBF是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及
    IRLML0060TRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • IRLML2244TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：239.6KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    IRLML2244TRPBF是VBsemi品牌引进的P沟道MOSFET产品，标志型号为VB2290；它采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为20V，额定电流为-4A，RDS（ON）参数为5
    IRLML2244TRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • IRLML2502TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：254.43KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为IRLML2502TRPBF的MOS管，丝印型号为VB1240。这款MOS管属于N沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，最大承受电压为20V，最大工作电流为6A。
    IRLML2502TRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • IRLML5203TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：237.5KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为IRLML5203TRPBF的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低
    IRLML5203TRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • IRLML6402TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：240.07KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    IRLML6402TRPBF是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数
    IRLML6402TRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • IRLR2705TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了其最新的N沟道MOS管型号，产品编号为IRLR2705TRPBF。该产品具有优异的性能参数，适用于多种应用场景。丝印型号为VBE1638，其特点包括工作电压高达60V，最大承载电流可
    IRLR2705TRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • IRLR2905ZTRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi品牌推出了一款高性能的MOS管，型号为IRLR2905ZTRPBF，丝印型号为VBE1615。这款MOS管采用N沟道设计，适用于广泛的电子应用领域。其主要特点包括耐压高达60V，最大工作电
    IRLR2905ZTRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • K810 原理图.pdf
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    时间：2019.12.06
    上传者：Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
  • KL3H4 SSOP4 晶体管光耦(AC交流)产品规格书
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    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL3H4光耦合器由两个反向并联的红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装的器件。产品特点•电流转换率CTR:Min.20%atIF=±1mA,VCE=5V•输入与输出间高
    KL3H4 SSOP4 晶体管 光耦 ac 交流 产品 规格书
  • KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦(高温特规)产品规格书
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    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL3H7HT型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT
    KL3H7HT SSOP4 晶体管 光耦 高温 特规 产品 规格书
  • KL3H7L SSOP4晶体管光耦产品规格书
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    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL3H7L型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中.产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT
    KL3H7L SSOP4 晶体管 光耦 产品 规格书 3H7L
  • KL4N25 DIP6晶体管光耦产品规格书
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    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL4N25由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N2X系列:4N25、4N26、
    4N25 DIP6 晶体管 光耦 产品 规格书
  • KL4N35 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL4N35系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
    4N35 DIP6 晶体管 光耦 产品 规格书
  • KL4N36 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL4N36系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
    4N36 DIP6 晶体管 光耦 产品 规格书
  • KL4N37 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL4N37系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
    4n37 DIP6 晶体管 光耦 产品 规格书
  • KL4N38 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL4N38系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
    4N38 DIP6 晶体管 光耦 产品 规格书
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