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Toshiba东芝TB6605FTG产品规格书datasheet
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时间:2024.11.13
上传者:东芝铠侠代理
TB6605FTG的核心是一个三相全波电机驱动IC,专为无刷直流电机控制而设计。它基于低导通电阻DMOS工艺制造,这显著提高了效率,通过减少工作中的功率损耗来实现更高的性能。其输入电压范围为10V到4
toshiba
东芝
TB6605FTG
产品
规格书
datasheet
TOSHIBA东芝TB67H420FTG直流电机驱动IC产品规格书datasheet
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时间:2024.07.29
上传者:东芝铠侠代理
TB67H420FTG是一款多功能有刷直流电机驱动器,具有一系列使其适用于各种应用的特点,从工业机械到消费电子。以下是一些突出的规格:高电压和电流容量:TB67H420FTG支持高达50V和9.0A,
toshiba
东芝
TB67H420FTG
直流电机驱动
ic
产品
规格书
datasheet
TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet
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时间:2024.07.18
上传者:东芝铠侠代理
B67S179FTG提供多种步进分辨率设置,包括:全步、半步(a和b)、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间,确保
Toshiba东芝TCD1304DG线性传感器产品规格书datasheet
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时间:2024.07.16
上传者:东芝铠侠代理
高灵敏度和低暗电流TCD1304DG具有高灵敏度和低暗电流,非常适合需要精确和可靠图像捕捉的应用。传感器包含3648个光敏元件,每个元件尺寸为8µmx200µm,确保了出色的光灵敏度和分辨率。电子快门
toshiba
东芝
TCD1304DG
线性传感器
产品
规格书
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TOSHIBA东芝TLP176AM产品规格书datasheet
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时间:2024.08.23
上传者:东芝铠侠代理
隔离电压:TLP176AM的隔离电压高达3750Vrms,确保电路免受电压尖峰和噪声的影响,非常适合高压应用场景。输出电流:TLP176AM能够处理高达30µA的输出电流,尽管数值不大,但足以驱动低功
toshiba
东芝
TLP176AM
产品
规格书
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Toshiba东芝TPH1500CNH N沟道MOSFET产品规格书datasheet
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时间:2024.09.03
上传者:东芝铠侠代理
高效率TPH1500CNH采用了先进的沟道结构设计,极大地降低了导通电阻(R<sub>DS(on)</sub>),使得在高电流工作环境下仍然能够保持极低的功耗。相较于传统的MO
toshiba
东芝
TPH1500CNH
沟道
mosfet
产品
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TOSHIBA东芝光耦TLP152产品规格书datasheet
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时间:2024.07.16
上传者:东芝铠侠代理
高噪声免疫力:TLP152具有±20kV/µs的高共模瞬变免疫力(CMTI),确保输入和输出引脚之间的卓越噪声免疫力。这使其非常适合存在大量电噪声的环境。推挽输出:具有推挽输出,能够同时吸收和提供电流
toshiba
东芝
光耦
TLP152
产品
规格书
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TOSHIBA东芝光耦TLP2301产品规格书datasheet
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时间:2024.08.23
上传者:东芝铠侠代理
高速数据传输速率:TLP2301的一个突出特点是其支持高速数据传输的能力。对于设计中时间和速度至关重要的工程师来说,该光耦合器确保数据高效传输,没有显著延迟或数据丢失。增强的抗噪声能力:TLP2301
toshiba
东芝
光耦
TLP2301
产品
规格书
datasheet
UM10430.pdf
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大小:81.96KB
时间:2021.09.24
上传者:Argent
FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
UM10430pdf
UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为
UT2301GAE3R
VBsemi
mosfet
datasheet
VK1626最大32SEG×4COM-LCD驱动芯片(IC)资料分享
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大小:7.38MB
时间:2021.11.10
上传者:crh18824662436
特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器(上电默认)•可外接32kHz时钟源(OSCI)•偏置电压(BIAS)固定为1/5•COM周期(DUTY)固定为1/16•内置显示RAM为48x
VK1626
最大
32SEG
4COMLCD
驱动芯片
ic
资料分享
VKL076是超低功耗LCD液晶驱动芯片-超低工作电流,低休眠电流
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大小:2.04MB
时间:2021.11.30
上传者:crh18824662436
VKL076 SSOP28是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出:Common输出4线;Segment输出15线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量:
VKL076
超低功耗
lcd
液晶驱动芯片
超低
工作电流
休眠电流
x-nucleo-ihm07m1_bom.pdf
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时间:2021.10.11
上传者:Argent
从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础,相信从中会获得您意想
xnucleoihm07m1bompdf
XPD738规格书 USB双口控制器
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时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD738是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD)2.0/3.0以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星A
XPD738
规格书
usb
双口
控制器
XPD767规格书 支持 XPD-LINK™互联 USB 双端口控制器
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大小:1.08MB
时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD767是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD)3.0/2.0以及PPS、QC3.0/2.0CLASSB快充协议、华为FCP/SCP快充协议、三星AFC快充协议、BC
XPD767
规格书
支持
XPDLINK
互联
usb
双端口
控制器
ZXMN10A07ZTA VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:211.13KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型号的MOS管,该产品以VBI1101M为丝印型号。这款MOS管属于N沟道型晶体管,具备出色的性能指标。它的最大工作电压可达100V,最大工作电流为3.1A。
ZXMN10A07ZTA
VBsemi
mosfet
datasheet
ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:408.9KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管,这款MOS管是一款P沟道型晶体管,工作电压可达-100V,最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻(RDS(ON))表现出色,仅为20
ZXMP10A17GTA
VBsemi
mosfet
datasheet
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