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【2SJ518-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2SJ518-VB丝印:VBI2658品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-5A-开态电阻(RDS(ON)):58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)
2SJ518VB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
【2SJ598-Z-E1-AZ-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:2SJ598-Z-E1-AZ-VB丝印:VBE2610N品牌:VBsemi参数:-P沟道-最大耐压:-60V-最大漏电流:-38A-静态导通电阻(RDS(ON)):61mΩ@10V,72mΩ@4
2SJ598ZE1AZVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【2SJ668-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:2SJ668丝印:VBE2610N品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-60V-最大电流:-38A-导通电阻:61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压:2
2SJ668
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【2SK1273-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:2SK1273丝印:VBI1695品牌:VBsemi参数:-频道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:5A-RDS(ON):76mΩ@10V,88mΩ@4.5V-门源电压范围:±20V-门源
2SK1273VB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
【2SK1485-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2SK1485-VB丝印:VBI1101M品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-最大耐压:100V-最大电流:3.1A-静态开启电阻(RDS(ON)):126mΩ@10V,139mΩ@4.5V
2SK1485VB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
【2SK2415-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:2SK2415-Z-E1-AZ丝印:VBE1695品牌:VBsemi参数:-频道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:18A-RDS(ON):73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压范
2SK2415ZE1AZVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【2SK2498-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2SK2498-VB丝印:VBMB1606品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:60V-最大连续漏极电流:120A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):6mΩ@10V,7mΩ@
2SK2498VB
沟道
to220f
封装
mos
datasheet
【2SK2503-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:2SK2503-VB丝印:VBE1695品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:60V-最大连续漏极电流:18A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):73mΩ@10V,85mΩ@
2SK2503VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【2SK2782-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2SK2782-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-最大耐压:60V-最大电流:45A-静态开启电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源极电
2SK2782VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【2SK3065-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:2SK3065-VB丝印:VBI1695品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大连续电流:5A-静态开启电阻(RDS(ON)):76mΩ@10V,88mΩ@4.5V-门
2SK3065VB
沟道
SOT893
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mos
datasheet
【2SK3147STL-E-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2SK3147STL-E-VB丝印:VBE1101M品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:100V-最大连续漏极电流:18A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):115mΩ@1
2SK3147STLEVB
沟道
TO252
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【2SK3148-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2SK3148-VB丝印:VBMB1104N品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:100V-最大电流:50A-开态电阻(RDS(ON)):40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(
2SK3148VB
沟道
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【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
2SK3484-Z-E1-AZ参数:N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介:2SK3484-Z-E
2SK3484ZE1AZ
VBseim
TO252
mos
datasheet
【2SK4033-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:2SK4033丝印:VBE1695品牌:VBsemi参数:N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO252该产品具有以
2SK4033
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【30N06L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:30N06L-VB-丝印:VBE1638-品牌:VBsemi-参数:N沟道、60V、45A、RDS(ON)、24mΩ@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth
30N06LVB
沟道
TO252
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mos
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【40N06 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:40N06TO252-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:N沟道-额定电压(Vds):60V-额定电流(Id):45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@
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沟道
TO252
封装
mos
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【44N10-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:44N10-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O
44N10VB
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