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  • FM3004规格书 USB 充电控制器
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    时间：2023.10.09
    上传者：国兴顺电子郑生
    FM3004是一款USB快速充电控制IC，符合USB电池充电规范1.2版本，允许充电装置吸取的电流类似于使用原装充电器。FM3004可自动识别充电设备类型，支持多种智能手机，并通过对应的USB充电协议
    FM3004 规格书 usb 充电控制器
  • FM2514规格书 USB 充电控制器
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    大小：166.46KB
    时间：2023.09.25
    上传者：国兴顺电子郑生
    FM2514是一款USB快速充电控制IC，符合USB电池充电规范1.2版本，它允许充电装置吸取的电流类似于使用原装充电器。FM2514可自动识别充电设备类型，支持多种智能手机，并通过对应的USB充电协
    FM2514 规格书 usb 充电控制器
  • ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20
    ZXMP10A17GTA VBsemi mosfet datasheet
  • ZXMN10A07ZTA VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：211.13KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型号的MOS管，该产品以VBI1101M为丝印型号。这款MOS管属于N沟道型晶体管，具备出色的性能指标。它的最大工作电压可达100V，最大工作电流为3.1A。
    ZXMN10A07ZTA VBsemi mosfet datasheet
  • UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为
    UT2301GAE3R VBsemi mosfet datasheet
  • SUD50P06-15-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为SUD50P06-15-GE3的MOS管，丝印型号为VBE2625。这款MOS管属于P沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，包括最大承受电压达到-60V，最大工作
    SUD50P0615GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • STU417S VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi引入了STU417S型号的MOS管产品，其丝印型号为VBE2317。这款P沟道MOS管在电子应用领域中具有出色性能。它能够承受最高-30V的电压和-40A的电流。在10V电压下，其RDS(
    STU417S VBsemi mosfet datasheet
  • SSM3J36FS VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SSM3J36FS（VBTA2245N）是一款P沟道MOS型晶体管，采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ，在2.5
    SSM3J36FS VBsemi mosfet datasheet
  • SSM3J327R VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：239.06KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ
    SSM3J327R VBsemi mosfet datasheet
  • SI4946BEY-T1-E3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI4946BEY-T1-E3（VBA3638）是一款N沟道MOS型号，封装为SOP8。该产品具有以下参数：工作电压为60V，最大电流为6A，开通电阻为27mΩ（在10V下），32mΩ（在4.5V下）
    SI4946BEYT1E3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
    SI2333DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：255.12KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）
    SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：256.35KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），
    SI2308BDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2305DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：240.15KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
    SI2305DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • RSR020N06TL VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    RSR020N06TL是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，10V时的RDS(ON)参数为85mΩ，4.5V时为96mΩ，电压限制为20Vg
    RSR020N06TL VBsemi mosfet datasheet
  • QM4002AD VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi引入高性能MOSFET型号QM4002AD（丝印为VBE1410），适用于各种电子应用，展现出色的性能特点。它具有出色的40V电压容忍度和最大50A的电流额定值，10V时的RDS(ON)值
    QM4002AD VBsemi mosfet datasheet
  • NTR4503NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
    NTR4503NT1G VBsemi mosfet datasheet
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