原理图资料下载_第53页-面包板社区

【AOB414-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOB414(VBL1102N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2V，封装：TO263。应用简介：AOB414适用于高电流

AOB414 VBsemi TO263 mos datasheet
【AO7400-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO7400(VBK1270)参数说明:极性：N沟道；额定电压：20V；最大电流：4A；导通电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：1

AO7400 VBsemi SC703 mos datasheet
【AO6801-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO6801(VB4290)参数说明：2个P沟道，-20V，-4A，导通电阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-1.2~-2.2V，封装：SOT23-6。应用简介：

AO6801 VBsemi sot236 mos datasheet
【AO4805-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO4805(VBA4317)参数说明：2个P沟道，-30V，-8.5A，导通电阻21mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-1.8V，封装：SOP8。应用简介：AO4

AO4805 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO4435(VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.37V，封装：SOP8。应用简介：

AO4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4354-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO4354(VBA1303)参数说明：N沟道，30V，18A，导通电阻5mΩ@10V，6.5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.72V，封装：SOP8。应用简介：AO4354是一

AO4354 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO3423-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO3423(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO3423 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3407-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO3407(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：AO3407适

AO3407 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO2301(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【AM2394NE-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AM2394NE(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：AM2394

AM2394NE VBsemi sot23 mos datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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时间：2023.12.27

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ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【50P04-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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50P04(VBE2412)参数说明：P沟道，-40V，-65A，导通电阻10mΩ@10V，13mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.6V，封装：TO252。应用简介：50P04适用于高功

50P04 VBsemi TO252 mos datasheet
【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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2SK3484-Z-E1-AZ参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介：2SK3484-Z-E

2SK3484ZE1AZ VBseim TO252 mos datasheet
WIFI模块

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时间：2023.12.28

上传者：因果

wifi模块规格书，感兴趣的可以看看

wifi 模块
2SJ327-Z-E1-AZ-VB一种P沟道TO252封装MOS管

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时间：2023.12.19

上传者：VBsemi

2SJ327-Z-E1-AZ(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应

2SJ327ZE1AZVB VBsemi mosfet TO252 mos管
2N7002ET1G-VB一种N沟道SOT23封装MOS管

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时间：2023.12.19

上传者：VBsemi

型号：2N7002ET1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：0.3A-开通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10Vgs、3000m

2N7002ET1GVB VBsemi mosfet sot23 mos管
CS5511芯片设计原理图

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时间：2023.11.28

上传者：QQ1540182856

CS5511的LVDS输出可以配置为在120Hz时支持高达1920x1080或在100Hz时支持1920x1200。CS5511LVDS接口支持单端口和双端口模式。CS5511具有5个配置引脚，可支持

CS5511 芯片设计原理图