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数字信号合成技术教程.rar

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时间：2021.04.21

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数字信号合成技术教程 rar
TSL258的规格书datasheet

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时间：2020.06.22

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TSL258的规格书datasheet

TSL258 规格书 datasheet
TLP785东芝Toshiba引脚方块图产品规格书datasheet

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时间：2023.07.03

上传者：东芝铠侠代理

TLP785(GR)是一款光耦合器件，其主要性能和应用如下：隔离电压：5000Vrms灵敏度：最小CTR为50%（在IF=5mA时）工作温度范围：-55℃~110℃输出类型：开漏输出应用产品：可用于隔

TLP785 东芝 toshiba 引脚方块图产品规格书 datasheet
数据结构与算法ch13

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时间：2020.12.08

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数据结构与算法ch13

数据结构算法 ch13
5G通信关键技术解密

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时间：2020.12.24

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5G通信关键技术解密本文档仅用于通信从业者学习交流5G通信关键技术解密无线接入部分1.大规模MIMO技术MIMO技术将传统的时域、频域、码域三维扩展为了时域、频域、码域、空域

5g 通信关键技术解密
ADI公司的革命性MEMS开关技术基本原理

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时间：2020.12.24

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ADI公司的革命性MEMS开关技术基本原理

adi 公司革命 mems 开关技术基本原理
碳化硅MOS用于逆变器，功率因数校正模块、充放电回馈节能电源

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时间：2022.04.11

上传者：Eways-SIC

SICMOSFET是第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大

碳化硅MOS 逆变器功率因数校正模块放电回馈节能电源
STM32Cube学习之八：输入捕获

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时间：2020.11.17

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STM32Cube学习之八：输入捕获

STM32Cube 学习输入捕获
系统级ESD电路保护设计考虑因素

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时间：2020.12.28

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系统级ESD电路保护设计考虑因素

系统级 ESD 电路保护设计考虑因素
Allegro_设备设计者为何应考虑将霍尔效应传感器芯片用于电机控制

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时间：2020.09.07

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Allegro_设备设计者为何应考虑将霍尔效应传感器芯片用于电机控制

allegro 设备设计何应考霍尔效应传感器芯片用于电机控制
单片机课设--基于单片机的数字钟设计

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时间：2021.03.18

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单片机课设--基于单片机的数字钟设计

单片机基于单片机数字钟设计
FMEA中文第4版标准翻译版.zip

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时间：2021.03.23

上传者：Goodluck2020

FMEA中文第4版标准翻译版.zip

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FP5217MR-G1 TSSOP-14L(EP) 非同步的PWM提升转换器

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时间：2022.08.18

上传者：百盛电子666

一般说明FP5217是用于广泛工作电压应用的升压拓扑开关调节器。其内置的15mΩ功率MOSFET使该调节器具有高度的功率高效。误差放大器的非反相输入连接到一个1.2V的精度参考电压。它具有由外部电阻器

FP5217MRG1 PWM提升转换器
电子元件超低抖动差分输出振荡器FCO-2L-UJ：220MHz频率范围及应用特性说明

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时间：2025.05.16

上传者：FCom富士晶振

内容概要：本文档详细介绍了FCO-2L-UJ系列超低抖动差分输出振荡器的技术规格和应用领域。该振荡器支持100至220MHz的频率范围，具有非常低的相位抖动（典型值为50飞秒），适用于高精度时钟同步。

电子元件低抖动差分输出振荡器 FCO2LUJ
2～8GHz宽带GaN功率放大器MMIC

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时间：2020.11.16

上传者：xiaosh728

2～8GHz宽带GaN功率放大器MMIC

8GHz 宽带 gan 功率放大器 mmic
rk3288-chapter-29-image-enhancement-processor

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时间：2020.08.24

上传者：czdian2005

rk3288-chapter-29-image-enhancement-processor-(iep).pdf

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