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  • 变压器原理及结构
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    时间：2019.12.18
    上传者：16245458_qq.com
    本文介绍了变压器原理及结构相关知识。
    变压器
  • 电阻的使用要考虑哪些性能参数
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    大小：51KB
    时间：2019.12.18
    上传者：978461154_qq
    本文详细介绍了电阻的使用要考虑的那些性能参数。
    二极管 三极管 电容 mosfet
  • 步进电机驱动芯片选型指南
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    大小：22.28KB
    时间：2019.12.18
    上传者：238112554_qq
    步进电机驱动芯片选型指南
    暂无
  • 人工智能的应用与普及
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    大小：4.23MB
    时间：2019.12.18
    上传者：wsu_w_hotmail.com
    资料主要讲述了人工智能的七大应用领域及未来的发展方向，需要了解人工智能的工程师可以作为资料参考。
    物联网 人工智能
  • 看梁老师怎么教你认识 电子元器件
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    大小：657.78KB
    时间：2019.12.18
    上传者：rdg1993
    梁老师用图解的方式教你认识电阻器/电容器/电感器/电子元器件/半导体器件，让你快速了解集成电路。
    电感 电容
  • 无功补偿SVG-SVC-MCR-TCR-TSC的区别
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    大小：382KB
    时间：2019.12.18
    上传者：rdg1993
    静止无功补偿器又称SVC，传统无功补偿用断路器或接触器投切电容，SCV用可控硅等电子开关，没有机械运动部分，所以较静态无功补偿装置。主要讲述了无功补偿SVG-SVC-MCR-TCR-TSC的区别。
    SVC
  • 功率放大器原理
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    时间：2019.12.18
    上传者：16245458_qq.com
    功率放大器原理
    暂无
  • 电气图中元件标号规定
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    大小：210KB
    时间：2019.12.18
    上传者：238112554_qq
    电气图中元件标号规定
    暂无
  • 全国电子设计大赛电源题目(1994-2011)
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    大小：372.32KB
    时间：2019.12.18
    上传者：微风DS
    全国电子设计大赛电源题目(1994-2011)
    暂无
  • 磁芯损耗
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    大小：113.42KB
    时间：2019.12.18
    上传者：16245458_qq.com
    磁芯损耗是磁芯材料内交替磁场引致的结果。某一种材料所产生的损耗，是操作频率与总磁通摆幅(ΔB)的函数。磁芯损耗是由磁芯材料的磁滞、涡流和剩余损耗引起的。
    磁芯
  • SIS-G3000 系列是一种特殊的柔软硅散热材料
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    大小：387.97KB
    时间：2019.12.18
    上传者：givh79_163.com
    SIS柔软硅是一种具有高弹性的复合材料填充片。它有非常优越的可压缩性、顺从性、散热性和电气性能。SIS尤其适合应用在一些粗糙表面，或者补偿不同的表面高度的零部件和线路板的散热场合。
    led 物联网 模拟电子
  • 电路主要参数的设计
    所需E币：5
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    大小：154.07KB
    时间：2019.12.18
    上传者：quw431979_163.com
    1、高频变压器的设计2、吸收电路设计3、抑制开机浪涌电流电路及瞬态高压抑制电路4、低通滤波回路的设计
    暂无
  • 电源MOSFET使用注意事项
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    大小：1.73MB
    时间：2019.12.18
    上传者：rdg1993
    PowerMOSFET(功率型金属氧化物半导体场效应晶体管)的工作原理，規格及性能均有异于双极性的晶体管。事实上，PowerMOSFET在性能上总体来讲要优于双极性的晶体管。
    mosfet
  • 单接收对讲机模块A101规格书
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    大小：5.08MB
    时间：2019.12.18
    上传者：wsu_w_hotmail.com
    纳拓科技设计的一款单接收对讲机模块，只需要给模块供电和接上喇叭和天线就可以正常工作，还可以通过串口来改频，应用起来很方便。
    嵌入式
  • 共模电感设计
    所需E币：5
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    大小：63.5KB
    时间：2019.12.18
    上传者：givh79_163.com
    共模电感就是一个重要的抗电磁干扰零件，它可以在一宽频条件下提供非常高的阻抗。大多数EMI滤波器主要部件就是一共模电感。在此文中，主要介绍共模电感的设计及磁芯选材问题。
    电感
  • DC-DC基础知识介绍
    所需E币：5
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    时间：2019.12.18
    上传者：2iot
    DC-DC基础知识介绍
    dc-dc
  • 功率MOSFET雪崩击穿问题分析
    所需E币：4
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    大小：126.18KB
    时间：2019.12.18
    上传者：微风DS
    分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在
    mosfet
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