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    时间:2019.12.18
    上传者:rdg1993
    梁老师用图解的方式教你认识电阻器/电容器/电感器/电子元器件/半导体器件,让你快速了解集成电路。
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    时间:2019.12.18
    上传者:rdg1993
    静止无功补偿器又称SVC,传统无功补偿用断路器或接触器投切电容,SCV用可控硅等电子开关,没有机械运动部分,所以较静态无功补偿装置。主要讲述了无功补偿SVG-SVC-MCR-TCR-TSC的区别。
    SVC
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    时间:2019.12.18
    上传者:16245458_qq.com
    功率放大器原理
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    时间:2019.12.18
    上传者:238112554_qq
    电气图中元件标号规定
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    时间:2019.12.18
    上传者:微风DS
    全国电子设计大赛电源题目(1994-2011)
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    时间:2019.12.18
    上传者:16245458_qq.com
    磁芯损耗是磁芯材料内交替磁场引致的结果。某一种材料所产生的损耗,是操作频率与总磁通摆幅(ΔB)的函数。磁芯损耗是由磁芯材料的磁滞、涡流和剩余损耗引起的。
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    时间:2019.12.18
    上传者:givh79_163.com
    SIS柔软硅是一种具有高弹性的复合材料填充片。它有非常优越的可压缩性、顺从性、散热性和电气性能。SIS尤其适合应用在一些粗糙表面,或者补偿不同的表面高度的零部件和线路板的散热场合。
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    时间:2019.12.18
    上传者:978461154_qq
    基于UC3854非常完美的PFC设计教程介绍。
    PFC
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    时间:2019.12.18
    上传者:quw431979_163.com
    1、高频变压器的设计2、吸收电路设计3、抑制开机浪涌电流电路及瞬态高压抑制电路4、低通滤波回路的设计
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    时间:2019.12.18
    上传者:rdg1993
    PowerMOSFET(功率型金属氧化物半导体场效应晶体管)的工作原理,規格及性能均有异于双极性的晶体管。事实上,PowerMOSFET在性能上总体来讲要优于双极性的晶体管。
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    时间:2019.12.18
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    纳拓科技设计的一款单接收对讲机模块,只需要给模块供电和接上喇叭和天线就可以正常工作,还可以通过串口来改频,应用起来很方便。
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    时间:2019.12.18
    上传者:givh79_163.com
    共模电感就是一个重要的抗电磁干扰零件,它可以在一宽频条件下提供非常高的阻抗。大多数EMI滤波器主要部件就是一共模电感。在此文中,主要介绍共模电感的设计及磁芯选材问题。
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    时间:2019.12.18
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    DC-DC基础知识介绍
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    时间:2019.12.18
    上传者:微风DS
    分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不在“热点”的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在
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    时间:2019.12.18
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    电感和反激变压器设计
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    时间:2019.12.18
    上传者:wsu_w_hotmail.com
    Saber元器件库中英文介绍
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    时间:2019.12.18
    上传者:微风DS
    本文详细介绍了美国Unitrode公司的芯片UC3852的工作原理和进行设计的方法,主要研究设计出一种新的功率因子改善的方法—双向同期整流PFC电路。