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  • DAYU_核心板原理图
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    时间：2022.04.02
    上传者：Argent
    DAYU_核心板原理图
    DAYU 核心板 原理图
  • F240 DSK Technical Reference.pdf
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    时间：2022.03.10
    上传者：samewell
    F240DSKTechnicalReference.pdf
    F240 dsk technical Referencepdf
  • 碳化硅MOS应用充电桩
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    时间：2022.02.15
    上传者：Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
    650V 15143 DC-AC修正波逆变器 133747 移相全桥 dab
  • SIC MOS光伏储能
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    时间：2022.01.21
    上传者：Eways-SIC
    SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、
  • 国旗升降系统程序及原理图资料
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    时间：2022.01.11
    上传者：Argent
    国旗升降系统程序及原理图资料
    国旗升 系统 程序 原理图 资料
  • 远翔FP5207XR-G1规格书
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    时间：2021.10.25
    上传者：远翔李生13691661579
    电池升压5V9V12V24V36V42V，电流2A3A5A10A，外置MOS，BOOST电路升压芯片。
    远翔 FP5207XRG1 规格书
  • MQ系列模块原理图.pdf
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    时间：2021.10.22
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    MQ 系列 模块 原理图 pdf
  • Magic430原理图.pdf
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    时间：2021.10.22
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    Magic430 原理图 pdf
  • AT89C52-DATASHEET.pdf
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    时间：2021.09.26
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  • AP6356S datasheet_V1.0
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    时间：2021.09.26
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  • AP6354 datasheet_V1.1_06062014.pdf
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    时间：2021.09.26
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  • ALC5651 DataSheet_V0.9.pdf
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    时间：2021.09.26
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  • ALC5640-VB DataSheet_0.91.pdf
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    时间：2021.09.26
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  • ADC0808_ADC0809
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    时间：2021.09.26
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  • AD5722.pdf
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  • 13001.pdf
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    时间：2021.09.26
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  • 12864.pdf
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