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电磁兼容中的接地技术
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时间:2020.02.27
上传者:quw431979_163.com
电磁兼容中的接地技术电磁兼容中的接地技术摘要:讨论了电磁兼容中的的接地技术,包括接地的种类和目的、接地方式、屏蔽地、设备地、系统地,其目的在于安全运行和提高电力电子设备的电磁兼容能力。关键词:接地技术
电磁
兼容
中的
EMI/ESD方面资料
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大小:2.52MB
时间:2020.02.27
上传者:978461154_qq
EMI/ESD方面资料,ESD-EMI……
esd-emi
On-Chip ESD Protection for IC ...
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大小:662.5KB
时间:2020.02.27
上传者:quw431979_163.com
On-ChipESDProtectionforIC...,高效的团队管理……
高效
的团
队管
如何设计符合电磁兼容要求的印刷电路板布线(高级资料)
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时间:2020.02.27
上传者:2iot
如何设计符合电磁兼容要求的印刷电路板布线……
如何
设计
符合
读易俊奇《电磁兼容设计与测试实例》做的笔记。共享给大家。
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时间:2020.02.27
上传者:quw431979_163.com
读易俊奇《电磁兼容设计与测试实例》做的笔记。共享给大家。,EMI知识总结……
知识
总结
ESD有关知识,与大家分享
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时间:2020.02.27
上传者:二不过三
aybook……
aybook
好如设计符合电磁相容要求的印刷电路板
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大小:262.59KB
时间:2020.02.27
上传者:rdg1993
高速PCB设计中的串扰分析与控制研究第14卷第4期2004年12月湖南工程学院学报Vo1.14.No.4Dec.2004JournalofHunanInstituteofEngineering高速PC
高速
设计
中的
器件ESD标准
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时间:2020.02.27
上传者:rdg1993
器件ESD标准,ESD标准……
标准
静电全面知识
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时间:2020.02.27
上传者:2iot
静电全面知识静电测试(ESD)l测试环境:温度15~35℃,湿度30%~60%l测试目的:测试样机抗静电干扰性能l参考标准:GB/T17626.2-1998IEC61000-4-2:2001l测试设备
静电
全面
知识
阻抗匹配与史密斯(Smith)圆图: 基本原理
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时间:2020.02.27
上传者:微风DS
smithchartsimplifiedchina阻抗匹配与史密斯(Smith)圆图:基本原理-Maxim/Dallas页码,1/12ENGLISH简体中文日本……
smith
chart
simplified
做手机ESD一段时间了,总结一下
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时间:2020.02.27
上传者:978461154_qq
手机ESD个人总结手机ESD概述个人总结ESD概述静电是人们非常熟悉的一种自然现象。静电的许多功能已经应用到军工或民用产品中,如静电除尘、静电喷涂、静电分离、静电复印等。然而,静电放电ESD(Elec
手机
个人
总结
信号完整性分析-英文版free
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时间:2020.02.26
上传者:978461154_qq
信号完整性分析-英文版free,SignalIntegrity-Simplified……
signal
integrity
simplified
自制近场探头
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时间:2020.02.26
上传者:wsu_w_hotmail.com
12322频谱仪探头简介探头介绍自制简易探头电场探头磁场探头上面列出的探头,性能较好,但是价格较贵,实际应用中可以使用自制简易探头赛盛技术――你身边的技术专家版权所有侵权必究www.ses-tech.
12322
杂散发射的测量方法
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时间:2020.02.26
上传者:微风DS
_杂散发射的测量方法杂散发射的测量方法MethodsofMeasurementofSpuriousEmissions深圳市无线电监测站钱宁铁摘要:本文详细介绍了杂散发射的测量方法,内容包括:相关概念、
杂散
发射
的测
华为emc资料,坚持我一贯原则,免费!
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时间:2020.02.26
上传者:quw431979_163.com
pcbemc94PCBEMC()EMC2000/09/01PCBEMCEMCPCB00012000/09/011.00EMC2000-09-01294PCBEMCEMCPCB00011........
磁珠的应用分析
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时间:2020.02.26
上传者:二不过三
磁珠的应用分析磁珠的应用一、磁珠的原理磁珠的主要原料为铁氧体。铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金,它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似,颜色为灰黑色。电磁干扰滤波器中经
磁珠
的应
用分
Fuse 选择
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时间:2020.02.26
上传者:238112554_qq
保险丝抗浪涌参数选择保险丝抗浪涌参数选择实际选用的熔断器的I2tF值,即相应于电流浪涌I2tmax最大值处的熔断器的I2t值,应该满足:I2tF≥(1+fF+fC+fP)*I2tmaxfF为熔断器参数
保险
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