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【AO4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO4435(VBA2317)参数说明:P沟道,-30V,-7A,导通电阻23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.37V,封装:SOP8。应用简介:
AO4435
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【AO4354-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO4354(VBA1303)参数说明:N沟道,30V,18A,导通电阻5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.72V,封装:SOP8。应用简介:AO4354是一
AO4354
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【AO3423-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO3423(VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V;门源电压范围:12Vgs(±V)阈值电压:-0.81V;封装
AO3423
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【AO3407-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO3407(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用简介:AO3407适
AO3407
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【AO2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO2301(VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V;门源电压范围:12Vgs(±V)阈值电压:-0.81V;封装
AO2301
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【AM2394NE-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AM2394NE(VB1102M)参数说明:N沟道,100V,2A,导通电阻246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压2V,封装:SOT23。应用简介:AM2394
AM2394NE
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。应用
ACE2302BBMH
VBsemi
sot23
mos
Datashee
【50P04-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
50P04(VBE2412)参数说明:P沟道,-40V,-65A,导通电阻10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.6V,封装:TO252。应用简介:50P04适用于高功
50P04
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
2SK3484-Z-E1-AZ参数:N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介:2SK3484-Z-E
2SK3484ZE1AZ
VBseim
TO252
mos
datasheet
2SJ327-Z-E1-AZ-VB一种P沟道TO252封装MOS管
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时间:2023.12.19
上传者:VBsemi
2SJ327-Z-E1-AZ(VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应
2SJ327ZE1AZVB
VBsemi
mosfet
TO252
mos管
2N7002ET1G-VB一种N沟道SOT23封装MOS管
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时间:2023.12.19
上传者:VBsemi
型号:2N7002ET1G-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-最大耐压:60V-最大持续电流:0.3A-开通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10Vgs、3000m
2N7002ET1GVB
VBsemi
mosfet
sot23
mos管
XPD767规格书 支持 XPD-LINK™互联 USB 双端口控制器
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大小:1.08MB
时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD767是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD)3.0/2.0以及PPS、QC3.0/2.0CLASSB快充协议、华为FCP/SCP快充协议、三星AFC快充协议、BC
XPD767
规格书
支持
XPDLINK
互联
usb
双端口
控制器
XPD738规格书 USB双口控制器
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时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD738是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD)2.0/3.0以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星A
XPD738
规格书
usb
双口
控制器
IPT2602规格书 USB 快速充电端口控制器
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时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
IPT2602是一款同时支持华为FCP协议、高通QuickCharge2.0/3.0A/B类规范、三星AFC协议以及MTKPE+协议的USB高压专用充电端口(HVDCP)的智能接口芯片,它能够自动识别
IPT2602
规格书
usb
快速充电
端口
控制器
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器
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时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD3.0)以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC
XPD319
规格书
usb
TypeC
pd
多协议控制器
IPT2601规格书 USB快速充电端口控制器
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下载:2
大小:755.96KB
时间:2023.10.09
上传者:国兴顺电子郑生
IPT2601是一款低成本的USB专用快速充电端口控制器已满兼容BC1.2和其他非BC1.2YD/T1591-2009苹果®和Samsung®充电规范,HiSilicon®Fa
IPT2601
规格书
usb
快速充电
端口
控制器
ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:408.9KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管,这款MOS管是一款P沟道型晶体管,工作电压可达-100V,最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻(RDS(ON))表现出色,仅为20
ZXMP10A17GTA
VBsemi
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