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    DEC15_EMD_TA_31三种ESD模型及其防护设计ESD:ElectrostaticDischarge,即是静电放电,每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握ESD的相关知识。为了定量表征ESD
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    时间:2020.02.27
    上传者:二不过三
    EMI-EMC设计www.EETchina.comEMI/EMC设计秘籍――电子产品设计工程师必备手册www.EETchina.comwww.EETchina.com目录一、EMC工程师必须具备的八大
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    时间:2020.02.27
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    通俗易懂谈EMC---论坛中绝对没有的,EMCbasic……
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    GB17626……
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    时间:2020.02.27
    上传者:微风DS
    ESD测试及IO保护方法Maxim(ESD)ESDESDESD()OEMESDESD(ESD);1ESDESDMaximESD1.115kV()RS-232ESDDIELECTRICFAILURE&C
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    时间:2020.02.27
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    ESD测试标准1NORMEINTERNATIONALEINTERNATIONALSTANDARDCEIIEC61000-4-2Edition1.22001-04Edition1:1995consoli
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    时间:2020.02.27
    上传者:二不过三
    电快速脉冲群实验及其对策综述电快速脉冲群实验(IEC61000-4-4EFT/BurstTest)及其对策综述一.试验波形电快速瞬变脉冲群抗扰度试验,目的是验证由闪电、接地故障或切换电感性负载而引起的
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    静电的相关知识及静电保护芯片TVS的应用,静电的相关知识及静电保护芯片TVS的应用……
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    时间:2020.02.27
    上传者:2iot
    我也发个ESD的介绍,Infineon出品,esd……
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    时间:2020.02.27
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    静电冲击ESD的危害和相应的电路防护措施静电冲击ESD的危害和相应的电路防护措施李勇军静电冲击ESD对电子设备的危害极大欧洲从1996年就开始对电子设备抗静电冲击的能力提出了标准未达标的产品在欧洲很难
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    ESDChinaBird-ESDregulationinChinaMobilephone第八章静电放电电电电范ESDtestprocedures应当对EUT施加直接和间接放电电电。直接放电是直接对EU
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    2006电子与封装-亚微米CMOS电路中VDD_VSSESD保护结构的设计……
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    时间:2020.02.27
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    2005半导体学报-CMOS工艺中GG_NMOS结构ESD保护电路设计第26卷第8期2005年8月半导体学报CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSVol.26No.8Aug.,2
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    CML、PECL及LVDS间的互相连接CML、PECL及LVDS间的互相连接王险峰译简介:随着高速数据传输业务需求的增加,如何高质量的解决高速IC芯片间的互连变得越来越重要。低功耗及优异的噪声性能是要
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    ESD处理家用电器相关ESD问题的讨论与研究!在电子产品设计中必须遵循抗静电释放的设计规则,本文介绍静电释放(ESD)产生的原理,以及机箱、屏蔽层、接地、布线设计等诸多设计规则,它们有助于预防并解决静
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    软件陷阱[匠人笔记]软件抗干扰经验之一:用“软件陷阱+程序口令”对付PC指针的弹飞程序匠人发表于2005-5-1919:36:00用(0)阅读全文(731)|回复(0)|引软件抗干扰经验之一:用“软件
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    时间:2020.02.27
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    emi设计技术高速……