资料
  • 资料
  • 专题
  • 所需E币:5
    下载:0
    大小:169.31KB
    时间:2020.02.27
    上传者:rdg1993
    TheESDProblemTheESDProblemWhatisESD?ElectrostaticDischarge(ESD)isthetransferofelectricalchargebetwee
  • 所需E币:5
    下载:0
    大小:184.7KB
    时间:2020.02.27
    上传者:rdg1993
    EMC的整改双击自动滚屏EMI快速诊断与对策EMIFASTDIAGNOSISANDCOUNTERMEASURE深圳电子产品质量检测中心邓志新李思雄摘要文章主要介绍EMI快速诊断与对策,指出EMI改进的
  • 所需E币:4
    下载:0
    大小:70.5KB
    时间:2020.02.27
    上传者:微风DS
    国际电子联合会半导体器件的型号命名方法国际电子联合会半导体器件的型号命名方法国际电子联合会半导体器件的型号命名分四部分组成,各部分的含义见下表。    第一部分用字母表示半导体器件的材料。    第二
  • 所需E币:5
    下载:0
    大小:631.5KB
    时间:2020.02.27
    上传者:rdg1993
    经典电磁兼容培训教材,电磁兼容培训教材2……
  • 所需E币:4
    下载:0
    大小:1.06MB
    时间:2020.02.27
    上传者:二不过三
    EMI-EMC设计www.EETchina.comEMI/EMC设计秘籍――电子产品设计工程师必备手册www.EETchina.comwww.EETchina.com目录一、EMC工程师必须具备的八大
  • 所需E币:5
    下载:0
    大小:762KB
    时间:2020.02.27
    上传者:rdg1993
    通俗易懂谈EMC---论坛中绝对没有的,EMCbasic……
  • 所需E币:5
    下载:0
    大小:1.96MB
    时间:2020.02.27
    上传者:rdg1993
    GB17626……
  • 所需E币:3
    下载:0
    大小:405.42KB
    时间:2020.02.27
    上传者:微风DS
    ESD测试及IO保护方法Maxim(ESD)ESDESDESD()OEMESDESD(ESD);1ESDESDMaximESD1.115kV()RS-232ESDDIELECTRICFAILURE&C
  • 所需E币:4
    下载:0
    大小:363.88KB
    时间:2020.02.27
    上传者:二不过三
    ESD测试标准1NORMEINTERNATIONALEINTERNATIONALSTANDARDCEIIEC61000-4-2Edition1.22001-04Edition1:1995consoli
  • 所需E币:5
    下载:0
    大小:40KB
    时间:2020.02.27
    上传者:二不过三
    电快速脉冲群实验及其对策综述电快速脉冲群实验(IEC61000-4-4EFT/BurstTest)及其对策综述一.试验波形电快速瞬变脉冲群抗扰度试验,目的是验证由闪电、接地故障或切换电感性负载而引起的
  • 所需E币:3
    下载:0
    大小:46.26KB
    时间:2020.02.27
    上传者:givh79_163.com
    静电的相关知识及静电保护芯片TVS的应用,静电的相关知识及静电保护芯片TVS的应用……
  • 所需E币:4
    下载:0
    大小:500.45KB
    时间:2020.02.27
    上传者:2iot
    我也发个ESD的介绍,Infineon出品,esd……
  • 所需E币:3
    下载:0
    大小:175.74KB
    时间:2020.02.27
    上传者:wsu_w_hotmail.com
    静电冲击ESD的危害和相应的电路防护措施静电冲击ESD的危害和相应的电路防护措施李勇军静电冲击ESD对电子设备的危害极大欧洲从1996年就开始对电子设备抗静电冲击的能力提出了标准未达标的产品在欧洲很难
  • 所需E币:3
    下载:0
    大小:258.26KB
    时间:2020.02.27
    上传者:238112554_qq
    ESDChinaBird-ESDregulationinChinaMobilephone第八章静电放电电电电范ESDtestprocedures应当对EUT施加直接和间接放电电电。直接放电是直接对EU
  • 所需E币:3
    下载:0
    大小:1.11MB
    时间:2020.02.27
    上传者:238112554_qq
    2006电子与封装-亚微米CMOS电路中VDD_VSSESD保护结构的设计……
  • 所需E币:5
    下载:0
    大小:423.34KB
    时间:2020.02.27
    上传者:givh79_163.com
    2005半导体学报-CMOS工艺中GG_NMOS结构ESD保护电路设计第26卷第8期2005年8月半导体学报CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSVol.26No.8Aug.,2
  • 所需E币:4
    下载:0
    大小:339.47KB
    时间:2020.02.27
    上传者:978461154_qq
    CML、PECL及LVDS间的互相连接CML、PECL及LVDS间的互相连接王险峰译简介:随着高速数据传输业务需求的增加,如何高质量的解决高速IC芯片间的互连变得越来越重要。低功耗及优异的噪声性能是要