半导体尖端制造工艺正在进入埃米时代。本书重点剖析了2nm/20A工艺的几个关键技术点，包括背面供电和Nanosheet FET等。然后探讨了产学研界在先进工艺上的最新动态，包括CEA-Leti宣布启动FAMES全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)试验线项目、荷兰集成光子学产业中心PhotonDelta和麻省理工学院(MIT)微光子学中心最新发布的国际集成光子学系统路线图(IPSR-I)、ASML的新光刻工具、Rapidus 2nm试点晶圆厂计划，以及英特尔嵌入式多芯片互连桥(EMIB)技术等话题。

本期主要内容

聚焦 摩尔定律之殇：浅析“埃米工艺”的几个关键技术点 CEA-Leti披露价值8.3亿欧元欧洲试验线细节 新版IPSR-I将成光子IC行业的蓝图？ Cerebras第三代晶圆级芯片性能翻倍 金刚石突破引领高性能电子产品的未来 Rapidus将开设2nm试点晶圆厂 ASML瞄准超数值孔径EUV，缩小芯片极限 设计新技术 晶圆级脉冲激光沉积将改变游戏规则 英特尔利用EDA工具支持EMIB封装 SoC设计与IP管理息息相关 GaN与SiC：两种宽禁带功率半导体对比