原创
关于razavi模拟CMOS集成电路设计的心得
2008-9-22 20:43
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分类:
模拟
1.衬底电势是会影响阀值电压的,因而也影响Vgs过驱动电压,在其他端子都保持电压稳定的情况下,
漏电流是衬底电压的函数。我是不是CMOS 是一个四端元件,衬底也是另一个端子。
2.其他参数不变,随Vds的增大(从0开始)CMOS 的状态:饱和区----》线性区,这个比较难理解(老
娘理解了许久),参见图示和RAZAVI的著作。
3.input/output resistance , linear , 增益 , consumption....是互相制约的关系
4.Vgd<|Vth| 时MOSFET饱和,沟道夹断。
5.Vgs足够高,使Vgs-Vth >>Vds, N-CHANNLmosfet进入深线性区
这种情况的话,跨导gm不是应该
提高才对吗?
怎么教材说“线性区跨导下降”
楼下的同学如果知道,请跟个贴
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huan_3030150498 2011-2-23 13:22
diablo77521_574237640 2008-9-25 15:19