原创 关于razavi模拟CMOS集成电路设计的心得

1.衬底电势是会影响阀值电压的，因而也影响Vgs过驱动电压，在其他端子都保持电压稳定的情况下，

漏电流是衬底电压的函数。我是不是CMOS 是一个四端元件，衬底也是另一个端子。

2.其他参数不变，随Vds的增大（从0开始）CMOS 的状态：饱和区----》线性区，这个比较难理解（老

娘理解了许久），参见图示和RAZAVI的著作。

3.input/output resistance ,  linear  ,  增益  ，  consumption....是互相制约的关系

4.Vgd<|Vth| 时MOSFET饱和，沟道夹断。

5.Vgs足够高，使Vgs-Vth >>Vds， N-CHANNLmosfet进入深线性区

这种情况的话，跨导gm不是应该

提高才对吗？

怎么教材说“线性区跨导下降”

楼下的同学如果知道，请跟个贴