一直是使用野火的例程学习STM32,而他的书里面没有讲到STM32的Flash操作,所以一直以为STM32不能对Flash进行操作。后来想到连STC这等国产8位机都可以进行Flash操作,想必STM32也可以,所以对此进行了一番小研究。
其实STM32的库里面就有专门针对Flash的程序,还有一个专门的文档,而且还有中文版本,名字叫《PM0042 STM32F10xxx闪存编程》(见附件)。
手头开发板上芯片是STM32F103C8T6,片上Flash为64KB,按ST定义,属于中容量的,下表就是中容量内存组织。
文档中对写Flash有专门的描述,重要的知识点包括但不限于:
1)擦除操作只能是页擦除或全部擦除。
2)写操作只能是每次写入16-bit,即双字节。
3)在擦除之前,要先写两个键值KEY1(0x45670123)和KEY2(0xCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器,以解除闪存锁。
我们的程序基本流程是,先读取Flash中一个固定地址的数据,然后通过串口打印,再修改此数据,修改后再读回来。
这是写Flash的程序:
void Writeflash(void)
{
FLASH_Unlock();
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASHStatus = FLASH_ErasePage(StartAddress);
if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)
{
FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(StartAddress, 0x12345678);
USART1_printf(USART1, "\r\n");
}
}
FLASH_Unlock()就是完成解除闪存锁的工作,以下是FLASH_Unlock()函数的实现。
void FLASH_Unlock(void)
{
/* Authorize the FPEC of Bank1 Access */
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
#ifdef STM32F10X_XL
/* Authorize the FPEC of Bank2 Access */
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY2;
#endif /* STM32F10X_XL */
}
FLASH_ErasePage()函数就是完成擦除整页数据功能,FLASH_ProgramWord()是向Flash固定的地址写入一个32-bit数据。
程序进行相应修改可以做成通过USART对Flash操作,比如,通过串口发送数据,修改Flash中的数据。
对Flash的操作用处很多,比如在CAN网络中可以在Flash中预先设置CAN的地址,也可以通过can通信在线修改地址,再比如在温度测量控制系统中可以在Flash预置传感器的标定值等。
完整工程文件及参考文档见附件。
用户24167 2016-5-8 09:48
用户24167 2016-5-8 09:47
用户3659544 2016-4-26 21:25
用户1868772 2016-1-18 15:11
用户1868772 2016-1-18 15:07
sunce_464022046 2016-1-11 16:35
用户1847740 2015-12-31 09:05
正在编这款MCU的flash,派上用场了,O(∩_∩)O谢谢
用户1861315 2015-11-12 08:00
给力,给我工作很大的帮助,赞。
用户1860692 2015-11-5 09:16
用户1834845 2015-9-28 20:39