原创 百兆/千兆以太网口雷击浪涌防护方案设计电路图及防护器件选型

    当今居于主导地位的局域网技术仍然是我们较为熟悉的以太网，只是由于整个社会、市场对传输效率的需求增大，以太网的顶梁柱已经由10兆 以太网变成了百兆以太网、千兆以太网，甚至在某些通信领域中的局域网已经开始接入万兆以太网了。以太网做为一种原理简单，便于实现同时又价格低廉的局域网 技术已经成为业界的主流。而更高性能的快速以太网和千兆以太网的出现更使其成为最有前途的网络技术。以太网的快速发展增大了其使用范围，其传输速率也在不 断的增大并随着现在局域网的发展不断涨大，也为此类技术的运用及其保护提供了要求。本篇硕凯电子的分享完全可以说是工程师的福利，将以太网的防护方案设计思路、应用背景以及可以选用的电路保护器件都一一列举。

以太网口雷击浪涌防护方案的设计思路：

    以太网防护方案的设计需要考虑到雷击浪涌以及陶瓷放电管一级防护之后的残压，因此一般会采用GDT在变压器前端做共模 （八线）浪涌防护；并选择结电容低、反应时间快，兼顾防护静电功能的TVS管吸收差模能量。

百兆以太网防护方案（一）

防护电路图： 

使用硕凯器件： 

陶瓷气体放电管：

GDT【UN1206-200ASMD】 直流标称电压200±30%V，冲击电流（8/20μs）0.5KA，电容值＜0.5pF，电阻＞100MΩ。 

GDT【UN1812-90CSMD】 直流标称电压90±20%V，冲击电流（8/20μs）2.0KA，电容值＜1.0pF，电阻＞1GΩ。 

瞬态抑制二极管TVS管:

TVS【SLUV2.8-4】 Vrwm：2.8V，Vb：3.0V，防静电能力（接触/空气）：8KV/15KV，结电容（f=1MHz）：2.0pF，封装：SO-08。  

百兆以太网防护方案（二）

防护电路图： 

使用硕凯器件：

陶瓷气体放电管：

    GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V，冲击电流（8/20μs）0.5KA，电容值＜0.5pF，电阻＞100MΩ。

    GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V，冲击电流（8/20μs）2.0KA，电容值＜1.0pF，电阻＞1GΩ。

瞬态抑制二极管TVS管:

    TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm：3.0V，Vb：4.0V，防静电能力（接触/空气）：8KV/15KV，结电容（f=1MHz）：1.2pF，封装：SOD-323。

千兆以太网防护方案（一）

防护电路图： 

使用硕凯器件： 

陶瓷气体放电管：

GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V，冲击电流（8/20μs）0.5KA，电容值＜0.5pF，电阻＞100MΩ 

GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V，冲击电流（8/20μs）2.0KA，电容值＜1.0pF，电阻＞1GΩ。

瞬态抑制二极管：

TVS【SLUV2.5-8】Vrwm：2.V，Vb：3.0V，防静电能力（接触/空气）：30KV/30KV，结电容（f=1MHz）：3.0pF，封装：SOP-08，超低漏电流 

千兆以太网防护方案（二）

防护电路图： 

使用硕凯器件： 

陶瓷气体放电管：

GDT【UN1206-200ASMD】直流标称电压200±30%V，冲击电流（8/20μs）0.5KA，电容值＜0.5pF，电阻＞100MΩ 

GDT【UN1812-90CSMD】直流标称电压90±20%V，冲击电流（8/20μs）2.0KA，电容值＜1.0pF，电阻＞1GΩ。

瞬态抑制二极管：

TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm：3.0V，Vb：4.0V，防静电能力（接触/空气）：8KV/15KV，结电容（f=1MHz）：1.2pF，封装：SOD-323。

    深圳市硕凯电子有限公司（http://www.socay.com）专业生产全系列GDT陶瓷气体放电管(Gas Tube)和瞬态抑制二极管（TVS Diode）、压敏电阻、PTC自恢复保险丝、ESD放电二极管等保护组件的高新技术企业，目前已经为市场中多个行业多个产品提供过电路保护，减少了因雷 击浪涌/过电压/过电流以及静电放电所带来的经济损失。硕凯电子还可以为有需要的客户进行防护方案的设计和整改，如有需要可与本公司销售代表联系，联系热 线：136-0259-3642。