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【NTD5806NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023-12-26
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资料介绍
NTD5806NT4G 参数:N沟道, 40V, 50A, RDS(ON), 12mΩ@10V, 14mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.78Vth(V); TO252;

应用简介:NTD5806NT4G是一款N沟道MOSFET,专为高电流要求的应用而设计。

其极低的导通电阻(RDS(ON))使其在高功率应用中表现出色,能够降低能量损耗和热量产生。
常见于电源管理、DC-DC转换器以及其他需要高效电能转换的电路中,如电机驱动、功率放大等领域。
优势:极低导通电阻:NTD5806NT4G具备出色的导通特性,从而减少了导通损耗和热量产生,提升了效率。
可靠性:VBsemi作为知名半导体品牌,产品经过严格的质量控制,具有高可靠性和稳定性。
适用于高功率应用:其高电流和低导通电阻特性使其在高功率应用中表现优越,如电机驱动和功率放大。
适用模块:NTD5806NT4G适用于高功率DC-DC转换器模块,如工业自动化设备中的电源模块。
在这些应用中,需要将高电压转换为适合负载的电压,同时保持高效率。
该型号的低导通电阻有助于降低转换损耗,提高效率,并保证模块稳定可靠的运行。
总之,NTD5806NT4G作为一款高功率N沟道MOSFET,在高电流、高效率的应用中具备明显优势,适用于多种需要高功率转换和控制的领域。

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