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【C3028LD-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-20
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阅读数:41
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资料介绍
型号:C3028LD
丝印:VBA5325
品牌:VBsemi
参数:
- 频道类型:N+P沟道
- 额定电压:±30V
- 额定电流:9A / -6A
- RDS(ON):15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ / 50mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围:±20V
- 门源阈值电压:±1.65V
- 封装类型:SOP8


应用简介:
C3028LD(丝印:VBA5325)是VBsemi公司生产的一款具有N+P沟道的MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:

详细参数说明:
C3028LD具有N+P沟道的MOSFET,可用于需要同时使用N沟道和P沟道的电路。主要参数包括额定电压为±30V,额定电流为9A(N沟道) / -6A(P沟道),RDS(ON)为15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ / 50mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为±1.65V,封装类型为SOP8。

应用领域:
C3028LD(VBA5325)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N+P沟道的功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域:

1. 电源管理模块:C3028LD可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。
2. 汽车电子系统:它适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足对高电流和高功率的要求。
3. 工业控制系统:C3028LD可用于工业控制系统中的开关电路,提供可靠的电流控制与电能转换。

综上所述,C3028LD(VBA5325)是一款具有N+P沟道的MOSFET,适用于电源管理模块、汽车电子系统和工业控制系统等领域模块。它具有高电压承载能力和低导通电阻,适用于需要高功率和高效能的电路。
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