丝印：VBE1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 频道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 额定电流：18A
- RDS(ON)：115mΩ @ 10V，121mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围：±20V
- 门源阈值电压：1.6V
- 封装类型：TO252
CMD12N10（丝印：VBE1101M）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：
详细参数说明：
CMD12N10是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为100V，额定电流为18A，RDS(ON)为115mΩ @ 10V，121mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为1.6V，封装类型为TO252。
应用领域：
CMD12N10（VBE1101M）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的高电压和大电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域：
1. 电源管理模块：CMD12N10可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。
2. 电机驱动：它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统：CMD12N10适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高电压和高功率的要求。
综上所述，CMD12N10（VBE1101M）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。
