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【TJ30S06M3L-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-21
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资料介绍
型号:TJ30S06M3L
丝印:VBE2625
品牌:VBsemi
参数:
- 频道类型:P沟道
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-50A
- RDS(ON):20mΩ @ 10V,25mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围:20V
- 门源阈值电压:-1.76V
- 封装类型:TO252


应用简介:
TJ30S06M3L(丝印:VBE2625)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:

详细参数说明:
TJ30S06M3L是一款P沟道功率MOSFET,具有较高的电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为-60V,额定电流为-50A,RDS(ON)为20mΩ @ 10V,25mΩ @ 4.5V,门源电压范围为20V,门源阈值电压为-1.76V,封装类型为TO252。

应用领域:
TJ30S06M3L(VBE2625)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要P沟道功率MOSFET的高电压和大电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域:

1. 电源管理模块:TJ30S06M3L可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。
2. 电机驱动:它可应用于电机驱动电路中,提供高功率和高效能的电力输出,适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统:TJ30S06M3L适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足对高电压和高功率的要求。

综上所述,TJ30S06M3L(VBE2625)是一款P沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有较高的电压和电流承载能力,适用于需要高功率和高效能的电路。
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