丝印：VBJ1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 类型：N沟道
- 额定电压（Vds）：100V
- 最大持续电流（Id）：5A
- 导通电阻（RDS(ON)）：100mΩ @ 10V
- 门源电压范围（Vgs）：20V（正负）
- 阈值电压范围（Vth）：2-4V
- 封装：SOT223
应用简介：
AP9997GK-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有较高的额定电压和适度电流承受能力。它适用于多种应用，特别是需要高电压开关和电流控制的领域。
详细参数说明：
1. **类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。
2. **额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为100V。这表示在正常工作条件下，其电压应不超过100V。
3. **最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为5A。虽然不是非常高，但在多种高电压应用中仍然足够。
4. **导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为100mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较低。
5. **门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。
6. **阈值电压范围（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压范围为2-4V。这是启动MOSFET导通的门源电压范围。
7. **封装**：这款MOSFET采用SOT223封装，这是一种小型封装，适用于小型电路板和空间受限的应用。
应用领域：
AP9997GK-VB这款MOSFET适用于多种高电压电子应用，包括但不限于以下领域模块：
1. **电源开关**：可用于高电压开关电源，如电压转换和电源稳定。
2. **电机驱动**：在电机控制器中用于控制电机的速度和方向。
3. **电源逆变器**：用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，如太阳能逆变器和电力逆变器。
4. **高电压电源管理**：用于高电压电源管理和电流控制电路，如工业电子设备。
5. **电池管理**：在需要高电压电池充电和放电管理的应用中使用，以确保安全和高效的电池使用。
总之，这款N沟道MOSFET适用于需要高电压开关和电流控制的高电压电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能。
