【FDS6681Z-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
时间:2024-02-26
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资料介绍
型号:FDS6681Z-NL-VB
丝印:VBA2305
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-15A
- 导通电阻(RDS(ON)):5mΩ @ 10V, 8mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压(Vth):-1.7V
- 封装:SOP8
应用简介:
FDS6681Z-NL-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种电子设备和电路中。它在一些特定领域的模块中具有广泛的应用。
**应用领域和模块说明:**
1. **电源模块**:
- 由于其低导通电阻和高电流承受能力,FDS6681Z-NL-VB适用于高性能电源模块。
- 可用于开关电源、DC-DC变换器、高电流充电器等领域,提供高效的电能转换。
2. **电机驱动模块**:
- 该MOSFET的低导通电阻和高电流特性使其成为电机驱动模块的理想选择。
- 在电机控制器、电动工具、电动汽车电机驱动等领域中用于提高电机效率和性能。
3. **电池管理模块**:
- FDS6681Z-NL-VB可用于电池管理模块中的电池充电和放电控制。
- 用于电动汽车、便携式电子设备、太阳能逆变器等领域,实现安全和高效的电池管理。
4. **电子负载模块**:
- 在电子负载模块中,该MOSFET可用于调节负载电流,实现负载的稳定性和精确控制。
- 在电源测试、电池测试和功率供应模块中应用广泛。
5. **自动控制模块**:
- 由于其高性能和可靠性,FDS6681Z-NL-VB可用于自动控制模块,如工业自动化和机器人控制。
- 帮助实现精确的电子控制和自动化任务。
总之,FDS6681Z-NL-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于电源、电机驱动、电池管理、电子负载和自动控制等多个领域的模块。其低导通电阻和高电流承受能力使其成为各种高性能电子设备和系统的关键组成部分,有助于提高效率和性能。
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