【SSM3J332R-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
时间:2024-02-27
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资料介绍
型号:SSM3J332R-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大连续漏极电流:-5.6A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10V,56mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):-1V
- 封装:SOT23
应用简介:
SSM3J332R-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有适中的电流承受能力和适用于低电压应用的低漏极-源极电阻。这使其在多种电子应用领域中非常有用。
应用领域:
1. **电源模块**:SSM3J332R-VB适用于低电压电源管理模块,如电池充放电管理、低电压DC-DC变换器和电源开关。
2. **信号开关**:这种MOSFET器件可用于低电压信号开关应用,例如低电压信号切换和电路保护。
3. **便携式设备**:SSM3J332R-VB可用于便携式设备的电源管理、信号开关和电池管理,如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。
4. **低电压电源**:在低电压应用中,这种MOSFET适用于低电压电源管理、DC-DC变换器和低电压电路。
总之,SSM3J332R-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要低电压、适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、信号开关、便携式设备、低电压电源等模块。
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