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【MDD1951RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-27
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资料介绍
型号:MDD1951RH-VB
丝印:VBE1638
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 最大耐压:60V
- 最大电流:45A
- 开通态电阻:24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压:1.8V
封装:TO252

该型号的MDD1951RH-VB 是一种N沟道MOSFET晶体管,适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介:

**详细参数说明:**
- 最大耐压:60V,表示它可以承受不超过60伏的电压。
- 最大电流:45A,该MOSFET可以承受最高45安培的电流。
- 开通态电阻:在不同电压下,其导通状态的电阻分别为24毫欧姆(@ 10V)和28毫欧姆(@ 4.5V)。这表明它在导通状态下具有相对低的电阻。
- 阈值电压:1.8V,表示MOSFET在此电压下开始导通。

**应用简介:**
这种MOSFET(MDD1951RH-VB)适用于多个领域的电路模块,主要用于电流控制、电压开关和功率放大。具体应用包括但不限于以下领域:
1. **电源管理模块:** 用于开关电源、稳压电路和电源开关,有助于实现高效的能源管理。
2. **电机控制:** 作为电机驱动器或电机控制模块的一部分,用于电流控制和电压开关。
3. **电源逆变器:** 在逆变器中,它可以用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等。
4. **电源开关和保护:** 用于电源开关、短路保护和过流保护电路。

总之,MDD1951RH-VB 是一种多功能的N沟道MOSFET,适用于多种电子应用领域,主要用于电流控制和电源管理。
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