丝印：VBJ1322
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 最大耐压：30V
- 最大漏电流：7A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：25mΩ @ 10V, 38mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1.5V
- 封装：SOT223
应用简介：
STN4NF03L-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于中功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于中功率电子系统。
领域模块应用：
1. DC-DC转换器模块：STN4NF03L-VB可用于DC-DC电源转换器，以提供有效的电能转换。
2. 电机控制模块：在中功率电机控制和驱动电路中，它能够提供所需的电流和效率。
3. 灯光控制器：适用于中功率LED驱动器、灯光控制器等模块。
这些特性使STN4NF03L-VB在中功率电子应用中有广泛的应用。
