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【STN4NF03L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-27
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阅读数:45
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资料介绍
型号:STN4NF03L-VB
丝印:VBJ1322
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 最大耐压:30V
- 最大漏电流:7A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):25mΩ @ 10V, 38mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1.5V
- 封装:SOT223

应用简介:
STN4NF03L-VB是一款N沟道场效应晶体管,适用于中功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性,适合用于中功率电子系统。

领域模块应用:
1. DC-DC转换器模块:STN4NF03L-VB可用于DC-DC电源转换器,以提供有效的电能转换。
2. 电机控制模块:在中功率电机控制和驱动电路中,它能够提供所需的电流和效率。
3. 灯光控制器:适用于中功率LED驱动器、灯光控制器等模块。

这些特性使STN4NF03L-VB在中功率电子应用中有广泛的应用。
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