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【SI9948AEY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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资料介绍
型号:SI9948AEY-T1-E3
丝印:VBA4658
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 极性:2个P沟道
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-5.3A
- 开通电阻(RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V
- 额定栅极-源极电压(Vgs):20V (±V)
- 阈值电压(Vth):-1~-3V
- 封装类型:SOP8

应用简介:
SI9948AEY-T1-E3是一款具有两个P沟道MOSFET的器件,具有高电压和高电流能力,适用于各种领域的模块应用。其特点包括低导通电阻和快速开关速度。

主要应用领域:
1. 电源模块:SI9948AEY-T1-E3可用于电源模块中的开关电源、DC-DC转换器和逆变器。其高电压和低导通电阻有助于提供高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. 汽车电子模块:SI9948AEY-T1-E3适用于汽车电子模块中的驱动控制和电源管理。其高电压和低导通电阻可以确保汽车系统的稳定性和可靠性。

3. 工业自动化:在工业自动化领域,SI9948AEY-T1-E3可用于电机控制、传感器接口和数据采集模块等应用。其高电流能力和低导通电阻可以提供稳定的信号处理和精确的控制功能。

4. 通信设备:SI9948AEY-T1-E3可应用于通信设备中的功率管理和电源控制模块。其高电流能力和低导通电阻有助于提供可靠的功率开关和稳定的电源输出。

综上所述,SI9948AEY-T1-E3适用于电源模块、汽车电子模块、工业自动化和通信设备等领域的模块应用。它具有高电压、高电流能力和低导通电阻,能够提供高效的功率开关和电流控制,并确保系统的稳定性和可靠性。

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