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【SI9435BDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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资料介绍
型号: SI9435BDY-T1-E3-VB
丝印: VBA2333
品牌:VBsemi

参数:
- P沟道
- 工作电压:-30V
- 工作电流:-6A
- 导通电阻:40mΩ(在10V下)
- 导通电阻:54mΩ(在4.5V下)
- 门源电压:±20V
- 阈值电压:-1.5V
- 封装:SOP8

详细参数说明:
SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P沟道的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),主要用于负责在特定应用中控制电流的关键元件。该器件的工作电压范围为-30V,工作电流可达-6A。在10V下,其导通电阻为40mΩ;在4.5V下,其导通电阻为54mΩ。门源电压范围为±20V,阈值电压为-1.5V。器件封装为SOP8。

应用简介:
SI9435BDY-T1-E3-VB常用于各种电子设备和模块中的开关电路、功率放大电路等场合,以实现对电流的精确控制。该MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,适用于要求高效能和响应速度的应用场景。其主要应用领域包括但不限于:

1. 电源管理:该MOSFET可用于电力转换、开关模式电源和电源控制器中的功率开关电路。
2. 电子调光:可应用在LED照明设备、背光模块、触摸开关等场合,实现对灯光亮度的调节和控制。
3. 电荷控制:可用于电池充电和放电保护电路、USB充电器等场合,对电流进行准确的控制和管理。
4. 电机驱动:适用于电动工具、无刷直流电机和步进电机等电机控制电路中,实现对电机的高效驱动。

总结:
SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P沟道MOSFET,具有低导通电阻、快速开关特性,可适用于多个领域的功率开关电路、电源管理、电子调光和电机驱动等应用场景。

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