- 型号: AO4419-VB
- 丝印: VBA2317
- 品牌: VBsemi
- 参数:
- 沟道类型: P沟道
- 额定电压: -30V
- 额定电流: -7A
- 开启电阻: 23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V
- 门源极电压范围: ±20V
- 门阈电压: -1.37V
- 封装类型: SOP8
应用简介:AO4419-VB是一款P沟道功率MOSFET器件,适用于各种需要P沟道器件的电路设计。它可在-30V的额定电压下提供最大-7A的电流,具有低开启电阻,可在不同电压下提供较低的电阻值,以提高功率传输效率。该器件采用SOP8封装,适合于表面贴装技术(SMT)。
应用领域和模块:
1. 电源模块:AO4419-VB可用于电源模块中的开关电源设计,通过提供高电压和大电流能力,协助实现高效率的电能转换和稳定的电源输出。
2. LED照明模块:该器件可以用在LED照明模块中的驱动电路中,通过控制LED的通断来实现灯光的亮度调节。高电流和低电阻特性有助于提供稳定的电流给LED灯。
3. 电机驱动模块:AO4419-VB可用于电机驱动模块中,帮助实现高效能电机驱动。其高电流和低开启电阻可以提供给电机足够的电流和稳定的电源。
4. 电池管理模块:在电池管理模块中,该器件可用于功率开关电路,以控制电流流向和充放电过程。低电阻和高电压能力使得它可以承受高负载和提供稳定的电流。
总结:AO4419-VB是一款P沟道功率MOSFET器件,适用于电源模块、LED照明模块、电机驱动模块和电池管理模块等领域的电路设计,以提供高效能和稳定的电源和电流。