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热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
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  • C8051F系列应用笔记AN028 C8051F30X 系列软件SPI 例子
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    大小：841.32KB
    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    C8051F系列应用笔记AN028C8051F30X系列软件SPI例子
  • LG手机L3100电路原理图.pdf
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    时间：2019.12.06
    上传者：Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
  • IPT2602规格书 USB 快速充电端口控制器
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    大小：839.58KB
    时间：2023.10.23
    上传者：国兴顺电子郑生
    IPT2602是一款同时支持华为FCP协议、高通QuickCharge2.0/3.0A/B类规范、三星AFC协议以及MTKPE+协议的USB高压专用充电端口（HVDCP）的智能接口芯片，它能够自动识别
    IPT2602 规格书 usb 快速充电 端口 控制器
  • PDIUSBD12_EN.PDF
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    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    PDIUSBD12ENPDF
  • 31034398-HUAWEI BSC6000 应急维护指南(V900R001C01_02)
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    大小：837.85KB
    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    1.1应急维护的目的本手册对HUAWEIBSC6000基站控制器（以下简称BSC）设备在运行过程中或者操作过程中可能出现的紧急情况，提供应急维护手段，使系统尽早恢复正常。1.2预防措施为保证BSC稳定
  • 【AP4565GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：835.87KB
    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AP4565GM-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AP4565GM-VB**丝印：**VBA5325**品牌：**VBsemi**参数：**-沟
    AP4565GMVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 【IRF7105TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：835.61KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：IRF7105TRPBF-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数说明：-极性：N+P沟道（既包含N沟道又包含P沟道）-额定电压：±30V（既可以在正电压下工作也可以在负电压下工作）-最大
    IRF7105TRPBFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 智能变电站技术应用的思考（赵曼勇）
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    时间：2019.06.18
    上传者：东亚安防
    1、什么样的变电站是智能变电站2、智能（数字）变电站带来的好处3、目前运行的数字化变电站的一些问题4、智能变电站技术应用的思考
  • 储能技术在电力系统中的应用
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    大小：834.51KB
    时间：2019.06.18
    上传者：东亚安防
    储能技术已被视为电网运行过程中“采–发–输–配–用–储”六大环节中的重要组成部分。系统中引入储能环节后，可以有效地实现需求侧管理，消除昼夜间峰谷差，平滑负荷，不仅可以更有效地利用电力设备，降低供电成本
  • infoX-EIE V4.1 API接口说明(DLL)
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    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    概述为了企业用户更加简便同时又灵活地实现相关的业务，我们提供了一个企业业务系统接入华为公司短信平台的应用开发接口。该接口以DLL的方式提供给企业应用系统调用。通过调用该接口的函数可以实现短信的定时发送
  • 【4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：834.03KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    详细参数说明：型号：4606-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：N+P沟道、±30V、9/-6A、RDS(ON)、15/42mΩ@10V、19/50mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、±
    4606VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 通信综合智能网技术规范
    所需E币：4
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    大小：833.38KB
    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    通信综合智能网技术规范
  • PFC电感估算参考
    所需E币：2
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    大小：827.86KB
    时间：2019.06.11
    上传者：feiniao2008
    PFC电感计算参考设计手册
  • GD32 原理图与封装11.24
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    大小：827.16KB
    时间：2022.01.07
    上传者：西风瘦马
    GD32原理图与封装11.24
    GD32 原理图 封装 1124
  • MSP430单片机选型指南
    所需E币：3
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    大小：826.06KB
    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    MSP430单片机选型指南
  • 晶台光耦KLM3051可控硅光耦(随机相位)产品规格书
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    大小：825.88KB
    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KLM3051系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感
    晶台 光耦 KLM3051 可控硅光耦 随机相位 产品 规格书
  • 晶台光耦KLM3052可控硅光耦(随机相位)产品规格书
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    大小：825.88KB
    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KLM3052系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感
    晶台 光耦 KLM3052 可控硅光耦 随机相位 产品 规格书
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