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【DMG1012T-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DMG1012T(VBTA1220N)参数说明：N沟道，20V，1A，导通电阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压0.6V，封装：SC75-3。应用简介：DMG10

DMG1012T VBsemi SC753 mos datasheet
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【CES2312-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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CES2312(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：CE

CES2312 VBsemi sot23 mos datasheet
【APM4826KC-TRG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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APM4826KC-TRG(VBA1311)参数说明：N沟道，30V，12A，导通电阻12mΩ@10V，15mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围0.8~2.5V，封装：SOP8

APM4826KCTRG VBsemi SOP8 mos datasheet
【APM4435KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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APM4435KC-TRL(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs(

APM4435KCTRL VBsemi SOP8 mos datasheet
APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管

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APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明：P沟道，-30V，-26A，导通电阻33mΩ@10V，46mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用

APM3095PUCTRL VBsemi TO252 mos
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/

APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet
【AO7400-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO7400(VBK1270)参数说明:极性：N沟道；额定电压：20V；最大电流：4A；导通电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：1

AO7400 VBsemi SC703 mos datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
RadarSensors_ARS404-21_cn数据手册

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时间：2023.11.28

上传者：雷达客

RadarSensors_ARS404-21_cn数据手册

RadarSensors ARS40421 数据手册
RadarSensors_ARS308-21_cn数据手册

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时间：2023.11.28

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RadarSensors_ARS308-21_cn数据手册

RadarSensors ARS308 数据手册
RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册

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时间：2023.11.28

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RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册

RadarSensorsARS40821cn 数据手册
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
SCH_Schematic1【拆解老五家的垃圾电源（riesba）进行分析】

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时间：2023.10.13

上传者：面包板社区管理员

SCH_Schematic1【拆解老五家的垃圾电源（riesba）进行分析】原题地址：https://mbb.eet-china.com/forum/topic/134305_1_1.ht
SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）

SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管，其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管，具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V，最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻（RD

FDC5614P VBsemi mosfet datasheet
APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低导通电阻，

APM2305AC VBsemi mosfet datasheet

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