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时间：2021.09.24

上传者：Argent

FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手

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UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为

UT2301GAE3R VBsemi mosfet datasheet
VK1626最大32SEG×4COM-LCD驱动芯片(IC)资料分享

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时间：2021.11.10

上传者：crh18824662436

特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源（OSCI）•偏置电压（BIAS）固定为1/5•COM周期（DUTY）固定为1/16•内置显示RAM为48x

VK1626 最大 32SEG 4COMLCD 驱动芯片 ic 资料分享
VKL076是超低功耗LCD液晶驱动芯片-超低工作电流，低休眠电流

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时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

VKL076 SSOP28是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出：Common输出4线；Segment输出15线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量：

VKL076 超低功耗 lcd 液晶驱动芯片超低工作电流休眠电流
x-nucleo-ihm07m1_bom.pdf

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时间：2021.10.11

上传者：Argent

从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻电容电感，每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想

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XPD738规格书 USB双口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD738是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD）2.0/3.0以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星A

XPD738 规格书 usb 双口控制器
XPD767规格书支持 XPD-LINK™互联 USB 双端口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD767是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD）3.0/2.0以及PPS、QC3.0/2.0CLASSB快充协议、华为FCP/SCP快充协议、三星AFC快充协议、BC

XPD767 规格书支持 XPDLINK 互联 usb 双端口控制器
ZXMN10A07ZTA VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型号的MOS管，该产品以VBI1101M为丝印型号。这款MOS管属于N沟道型晶体管，具备出色的性能指标。它的最大工作电压可达100V，最大工作电流为3.1A。

ZXMN10A07ZTA VBsemi mosfet datasheet
ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20

ZXMP10A17GTA VBsemi mosfet datasheet
【15N10 TO251-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：15N10TO251丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-

15N10 TO251VB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【15N10 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：15N10TO252-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-静态电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源

15N10 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：20N03-VB-丝印：VBE1310-品牌：VBsemi-类型：N沟道场效应管-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源电压：

20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【20P03-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：20P03丝印：VBE2338品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-26A-开通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V-额定栅极-

20P03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2302-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2302-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)-阈值电压

2302VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【25P03LG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：25P03LG-VB丝印：VBE2338品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏电流：-26A-静态导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vg

25P03LGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2N7002ET1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2N7002ET1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：0.3A-开通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10Vgs、3000m

2N7002ET1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【2N7002LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2N7002LT1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：0.3A-静态开启电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10V,3000m

2N7002LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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