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KL4N25 DIP6晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL4N25由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N2X系列:4N25、4N26、
4N25
DIP6
晶体管
光耦
产品
规格书
KL4N35 DIP6 晶体管光耦产品规格书
所需E币:0
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大小:1.39MB
时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL4N35系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
4N35
DIP6
晶体管
光耦
产品
规格书
KL4N36 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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大小:1.39MB
时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL4N36系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
4N36
DIP6
晶体管
光耦
产品
规格书
KL4N37 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL4N37系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
4n37
DIP6
晶体管
光耦
产品
规格书
KL4N38 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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大小:1.39MB
时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL4N38系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
4N38
DIP6
晶体管
光耦
产品
规格书
LCD液晶段码显示驱动IC-VK1088B QFN32L封装4mm*4mm超小体积
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时间:2023.06.29
上传者:永嘉微电罗丹
封装:QFN32L(4.0mmx4.0mm PP=0.4mm)
QFN32L
超小体积
LG手机L3100电路原理图.pdf
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时间:2019.12.06
上传者:Argent
这是本人经典收藏的电子类书籍,有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案,有的是参加培训时藏有的经典教程,在此电子工程专辑平台上分享,希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你,请且行且珍惜,好好收藏吧!
LIS3DH.pdf
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时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
LIS3DHpdf
LP3382-00.pdf
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大小:496.02KB
时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
LP338200pdf
MAX232.pdf
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时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
MAX232pdf
MMA7660FC.pdf
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大小:770.12KB
时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
MMA7660FCpdf
Mon51.pdf
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时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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NDT2955 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:353.9KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了NDT2955MOSFET,其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管,具有出色的规格,包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通
NDT2955
VBsemi
mosfet
datasheet
NTGD3148NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管,其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管,具备出色的性能参数。最大工作电压为20V,最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻(RD
NTGD3148NT1G
VBsemi
mosfet
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NTR4503NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
NTR4503NT1G
VBsemi
mosfet
datasheet
QC-zigbee Rev3.2底板原理图.pdf
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时间:2021.09.26
上传者:Argent
分享一下关于单片机的相关资料文档,感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础,相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术,掌握无线智能开发,了解蓝牙底层及上层应用开发,协议栈的问题需要不断学习
QCzigbee
Rev32
底板
原理图
pdf
QM4002AD VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi引入高性能MOSFET型号QM4002AD(丝印为VBE1410),适用于各种电子应用,展现出色的性能特点。它具有出色的40V电压容忍度和最大50A的电流额定值,10V时的RDS(ON)值
QM4002AD
VBsemi
mosfet
datasheet
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