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Mon51.pdf
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时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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NDT2955 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:353.9KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了NDT2955MOSFET,其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管,具有出色的规格,包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通
NDT2955
VBsemi
mosfet
datasheet
NTGD3148NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:256.54KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管,其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管,具备出色的性能参数。最大工作电压为20V,最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻(RD
NTGD3148NT1G
VBsemi
mosfet
datasheet
NTR4503NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:223.09KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
NTR4503NT1G
VBsemi
mosfet
datasheet
QC-zigbee Rev3.2底板原理图.pdf
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时间:2021.09.26
上传者:Argent
分享一下关于单片机的相关资料文档,感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础,相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术,掌握无线智能开发,了解蓝牙底层及上层应用开发,协议栈的问题需要不断学习
QCzigbee
Rev32
底板
原理图
pdf
QM4002AD VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:379.19KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi引入高性能MOSFET型号QM4002AD(丝印为VBE1410),适用于各种电子应用,展现出色的性能特点。它具有出色的40V电压容忍度和最大50A的电流额定值,10V时的RDS(ON)值
QM4002AD
VBsemi
mosfet
datasheet
RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册
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大小:422.4KB
时间:2023.11.28
上传者:雷达客
RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册
RadarSensorsARS40821cn
数据手册
RSR020N06TL VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:247.31KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
RSR020N06TL是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,10V时的RDS(ON)参数为85mΩ,4.5V时为96mΩ,电压限制为20Vg
RSR020N06TL
VBsemi
mosfet
datasheet
SCH_ESP32多功能测试板V0.0.1原理图
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大小:173.62KB
时间:2025.05.27
上传者:zhusx123
SCH_ESP32多功能测试板V0.0.1原理图
SCHESP32
多功能测试
V001
原理图
SH-G08+40-Q1.pdf
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大小:202.21KB
时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
SHG0840Q1pdf
SI2305DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:240.15KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参
SI2305DST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:256.35KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),
SI2308BDST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:255.12KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V,额定电流为6A,RDS(ON)参数为24mΩ(在4.5V下)和33mΩ(在2.5V下)
SI2312CDST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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大小:296.06KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用
SI2323CDST1GE3
VBsemi
sot23
mos
SI2323DDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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大小:272.2KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:SI2323DDS-T1-GE3 丝印:VB2355 品牌:VBsemi 参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-5.6A
SI2323DDST1GE3VB
一种
沟道
sot23
封装
mos
SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参
SI2333DST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SI4946BEY-T1-E3 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:486.86KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
SI4946BEY-T1-E3(VBA3638)是一款N沟道MOS型号,封装为SOP8。该产品具有以下参数:工作电压为60V,最大电流为6A,开通电阻为27mΩ(在10V下),32mΩ(在4.5V下)
SI4946BEYT1E3
VBsemi
mosfet
datasheet
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