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  • SH-G08+40-Q1.pdf
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    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    SHG0840Q1pdf
  • SI2305DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：240.15KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
    SI2305DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：256.35KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），
    SI2308BDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）
    SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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    大小：296.06KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用
    SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
  • SI2323DDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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    大小：272.2KB
    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：SI2323DDS-T1-GE3  丝印：VB2355  品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A
    SI2323DDST1GE3VB 一种 沟道 sot23 封装 mos
  • SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：239.56KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
    SI2333DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI4946BEY-T1-E3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：486.86KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI4946BEY-T1-E3（VBA3638）是一款N沟道MOS型号，封装为SOP8。该产品具有以下参数：工作电压为60V，最大电流为6A，开通电阻为27mΩ（在10V下），32mΩ（在4.5V下）
    SI4946BEYT1E3 VBsemi mosfet datasheet
  • SIN-A33底板原理图_V1.0.pdf
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    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    SINA33 底板 原理图 V10pdf
  • SSM3J327R VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ
    SSM3J327R VBsemi mosfet datasheet
  • SSM3J36FS VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SSM3J36FS（VBTA2245N）是一款P沟道MOS型晶体管，采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ，在2.5
    SSM3J36FS VBsemi mosfet datasheet
  • stm32h743 dstasheet
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    大小：3.24MB
    时间：2023.03.21
    上传者：Argent
    stm32h743dstasheet
    STM32H743 dstasheet
  • STU417S VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi引入了STU417S型号的MOS管产品，其丝印型号为VBE2317。这款P沟道MOS管在电子应用领域中具有出色性能。它能够承受最高-30V的电压和-40A的电流。在10V电压下，其RDS(
    STU417S VBsemi mosfet datasheet
  • SUD50P06-15-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为SUD50P06-15-GE3的MOS管，丝印型号为VBE2625。这款MOS管属于P沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，包括最大承受电压达到-60V，最大工作
    SUD50P0615GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • TB67H400AFNG有刷直流步进电机中文产品规格书datasheet
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    时间：2024.10.09
    上传者：东芝铠侠代理
    TB67H400AFNG是一款采用BiCD工艺的高效有刷直流马达驱动器，具有以下显著特点：高电压与大电流承载能力：支持高达50V的工作电压以及在单通道模式下8A的峰值电流（双通道模式下为4A），能够轻
    TB67H400AFNG 直流步进电机 中文 产品 规格书 datasheet
  • TB67H400AFNG有刷直流马达驱动产品规格书datasheet
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    大小：390.8KB
    时间：2024.10.09
    上传者：东芝铠侠代理
    TB67H400AFNG是一款采用BiCD工艺的高效有刷直流马达驱动器，具有以下显著特点：高电压与大电流承载能力：支持高达50V的工作电压以及在单通道模式下8A的峰值电流（双通道模式下为4A），能够轻
    TB67H400AFNG 直流马达驱动 产品 规格书 datasheet
  • TCL6898手机基本电路原理.pdf
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    时间：2019.12.06
    上传者：Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
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