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    时间:2024.09.03
    上传者:晶台光耦
    KL3H7HT型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器,它们被封装在一个4引脚小外形SMD中产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT
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    时间:2024.09.03
    上传者:晶台光耦
    KL3H7L型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器,它们被封装在一个4引脚小外形SMD中.产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT
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    时间:2024.09.03
    上传者:晶台光耦
    KL4N25由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N2X系列:4N25、4N26、
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    时间:2024.09.03
    上传者:晶台光耦
    KL4N35系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
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    时间:2024.09.03
    上传者:晶台光耦
    KL4N36系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
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    时间:2024.09.03
    上传者:晶台光耦
    KL4N37系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
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    时间:2024.09.03
    上传者:晶台光耦
    KL4N38系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合,构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
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    时间:2023.06.29
    上传者:永嘉微电罗丹
    封装:QFN32L(4.0mmx4.0mm PP=0.4mm)
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    时间:2019.12.06
    上传者:Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍,有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案,有的是参加培训时藏有的经典教程,在此电子工程专辑平台上分享,希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你,请且行且珍惜,好好收藏吧!
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    时间:2021.03.26
    上传者:Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2021.03.26
    上传者:Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2020.06.24
    上传者:Argent
    有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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    时间:2021.03.26
    上传者:Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2020.06.24
    上传者:Argent
    有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了NDT2955MOSFET,其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管,具有出色的规格,包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管,其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管,具备出色的性能参数。最大工作电压为20V,最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻(RD
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R