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  • KL4N36 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL4N36系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
    4N36 DIP6 晶体管 光耦 产品 规格书
  • KL4N37 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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    大小：1.39MB
    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL4N37系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
    4n37 DIP6 晶体管 光耦 产品 规格书
  • KL4N38 DIP6 晶体管光耦产品规格书
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    大小：1.39MB
    时间：2024.09.03
    上传者：晶台光耦
    KL4N38系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4
    4N38 DIP6 晶体管 光耦 产品 规格书
  • LCD液晶段码显示驱动IC-VK1088B QFN32L封装4mm*4mm超小体积
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    时间：2023.06.29
    上传者：永嘉微电罗丹
    封装：QFN32L(4.0mmx4.0mm PP=0.4mm)
    QFN32L 超小体积
  • LG手机L3100电路原理图.pdf
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    时间：2019.12.06
    上传者：Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
  • LIS3DH.pdf
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    大小：693.12KB
    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    LIS3DHpdf
  • LP3382-00.pdf
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    大小：496.02KB
    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    LP338200pdf
  • MAX232.pdf
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    大小：442.89KB
    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
    有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
    MAX232pdf
  • MMA7660FC.pdf
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    大小：770.12KB
    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    MMA7660FCpdf
  • Mon51.pdf
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    大小：202.59KB
    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
    有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
    Mon51pdf
  • NDT2955 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：353.9KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了NDT2955MOSFET，其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管，具有出色的规格，包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通
    NDT2955 VBsemi mosfet datasheet
  • NTGD3148NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：256.54KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RD
    NTGD3148NT1G VBsemi mosfet datasheet
  • NTR4503NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
    NTR4503NT1G VBsemi mosfet datasheet
  • QC-zigbee Rev3.2底板原理图.pdf
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    时间：2021.09.26
    上传者：Argent
    分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习
    QCzigbee Rev32 底板 原理图 pdf
  • QM4002AD VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：379.19KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi引入高性能MOSFET型号QM4002AD（丝印为VBE1410），适用于各种电子应用，展现出色的性能特点。它具有出色的40V电压容忍度和最大50A的电流额定值，10V时的RDS(ON)值
    QM4002AD VBsemi mosfet datasheet
  • RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册
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    时间：2023.11.28
    上传者：雷达客
    RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册
    RadarSensorsARS40821cn 数据手册
  • RSR020N06TL VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：247.31KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    RSR020N06TL是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，10V时的RDS(ON)参数为85mΩ，4.5V时为96mΩ，电压限制为20Vg
    RSR020N06TL VBsemi mosfet datasheet
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