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APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:243.76KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管,丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品,适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V,可承受-5.6A的电流,具有低导通电阻,
APM2305AC
VBsemi
mosfet
datasheet
APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明:P沟道,-30V,-26A,导通电阻33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用
APM3095PUCTRL
VBsemi
TO252
mos
AT070TN93 V.2 Pre(V02).pdf
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时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
AT070TN93
V2
PreV02pdf
AT24C02A.pdf
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时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
AT24C02Apdf
AT89S52.pdf
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时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
AT89S52pdf
DM00095523.pdf
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时间:2021.09.24
上传者:Argent
FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
DM00095523pdf
DMP2215L-7 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:239.21KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
DMP2215L-7是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57m
DMP2215L7
VBsemi
mosfet
datasheet
DS1302_CH.pdf
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时间:2019.11.25
上传者:Argent
这是本人经典收藏的电子类书籍,有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案,有的是参加培训时藏有的经典教程,在此电子工程专辑平台上分享,希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你,请且行且珍惜,好好收藏吧!
DS130_datasheet.pdf
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大小:257.85KB
时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
DS130datasheetpdf
E22-400T22S产品规格书
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时间:2023.11.10
上传者:tkoux
E22-400T22S产品规格书消息介绍资料
E22400T22S
产品
规格书
ES_LPC18X0.pdf
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时间:2021.09.24
上传者:Argent
FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
ESLPC18X0pdf
F240 DSK Technical Reference.pdf
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时间:2022.03.10
上传者:samewell
F240DSKTechnicalReference.pdf
F240
dsk
technical
Referencepdf
FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:451.06KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管,其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管,具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V,最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻(RD
FDC5614P
VBsemi
mosfet
datasheet
FDD4141 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
FDD4141是一款P沟道MOS型的功率开关器件,其丝印型号为VBE2412,封装为TO252。该产品具备以下参数:最大承受电压为-40V,最大电流为-65A,导通阻抗在10V电压下为10mΩ,在4.
FDD4141
VBsemi
mosfet
datasheet
FDN306P-NL VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:238.98KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
FDN306P-NL是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57m
FDN306PNL
VBsemi
mosfet
datasheet
FDS4559-NL VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
FDS4559-NL(VBA5638)是VBsemi一种N+P沟道MOS型晶体管,封装为SOP8。它的产品参数包括:最大耐压为±60V,最大漏极电流为6.5A(正向)和-5A(反向),漏源电阻RDS(
FDS4559NL
VBsemi
mosfet
datasheet
FDS9945-NL VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
FDS9945-NL(VBA3638)是一款N沟道MOS型晶体管,采用SOP8封装。该产品具有60V的耐压能力和6A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在10V时为27mΩ,在4.5V时为32mΩ。其
FDS9945NL
VBsemi
mosfet
datasheet
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