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Wayking RadarSensors_LRR7710_中英文产品手册

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时间：2023.11.28

上传者：雷达客

WaykingRadarSensors_LRR7710_中英文产品手册

Wayking RadarSensors LRR7710 产品手册
WIGGLER小板原理图

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时间：2020.06.17

上传者：zendy_731593397

WIGGLER小板原理图

wiggler 小板原理图
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
XPD738规格书 USB双口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD738是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD）2.0/3.0以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星A

XPD738 规格书 usb 双口控制器
YM12864I.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

ZLG7289PDF
ZLG7289B

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

ZLG7289B
【50N06 30N06 20N06 25N06 35N06 60V贴片MOS管】惠海半导体

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时间：2021.06.22

上传者：东莞市惠海半导体

场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路
【AO4611-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4611丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±60V-额定电流：6.5A/-5A-RDS(ON)：28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4

AO4611VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2

APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
【IRF540NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRF540NPBF-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(

IRF540NPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
【IRF7453TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF7453TRPBF-VB丝印：VBA1203M品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：200V-最大电流：3A-RDS(ON)：300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压（

IRF7453TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRFR4105ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

IRFR4105ZTRPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率场效应晶体管。它的丝印为VBE1638，具有以下详细参数：-额定电压：60V-额定电流：45A-静态电阻：24mΩ@10V,28mΩ

IRFR4105ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【原理图】EasyARM-55S69 Rev.A

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时间：2020.09.18

上传者：LGWU1995

【原理图】EasyARM-55S69Rev.A

原理图 EasyARM55S69 RevA

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