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    时间:2024.06.18
    上传者:东芝铠侠代理
    TB6612FNG是一款硅单片集成电路,旨在高效精确地驱动双直流电机。以下是其一些突出的特点:电源和输出规格:电源电压:该IC的最大VM为15V。输出电流:每通道提供1.2A的连续输出电流,峰值电流可
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    时间:2024.07.29
    上传者:东芝铠侠代理
    TB67H420FTG是一款多功能有刷直流电机驱动器,具有一系列使其适用于各种应用的特点,从工业机械到消费电子。以下是一些突出的规格:高电压和电流容量:TB67H420FTG支持高达50V和9.0A,
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    时间:2024.07.18
    上传者:东芝铠侠代理
    B67S179FTG提供多种步进分辨率设置,包括:全步、半步(a和b)、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间,确保
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    时间:2024.09.12
    上传者:东芝铠侠代理
    高数据传输速率:典型的非归零码传输速率可达20MBd,适用于高速数据传输需求的场合。宽工作温度范围:从-40°C到125°C的工作温度范围,使其能够在各种极端环境下保持稳定运行。低输入阈值电流:最大仅
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    时间:2021.04.27
    上传者:Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
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    时间:2021.11.10
    上传者:crh18824662436
    特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器(上电默认)•可外接32kHz时钟源或32.768KHz晶体振荡器•偏置电压(BIAS)固定为1/4•COM周期(DUTY)固定为1/8•内置显
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    时间:2023.11.28
    上传者:雷达客
    WaykingRadarSensors_LRR7710_中英文产品手册
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    时间:2020.06.17
    上传者:zendy_731593397
    WIGGLER小板原理图
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    时间:2023.10.23
    上传者:国兴顺电子郑生
    XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD3.0)以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC
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    时间:2023.10.23
    上传者:国兴顺电子郑生
    XPD738是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD)2.0/3.0以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星A
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    时间:2021.04.27
    上传者:Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
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    时间:2021.04.27
    上传者:Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
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    时间:2021.04.27
    上传者:Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
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    时间:2021.06.22
    上传者:东莞市惠海半导体
    场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路
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    时间:2024.02.21
    上传者:VBsemi
    型号:AO4611丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-频道类型:N+P沟道-额定电压:±60V-额定电流:6.5A/-5A-RDS(ON):28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4
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    时间:2024.04.08
    上传者:VBsemi
    详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2
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    时间:2024.01.03
    上传者:VBsemi
    型号:FDC3512丝印:VB7101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:3.2A-导通电阻:100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压