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TOSHIBA东芝TLP2368光耦产品规格书datasheet

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时间：2024.09.12

上传者：东芝铠侠代理

高数据传输速率：典型的非归零码传输速率可达20MBd，适用于高速数据传输需求的场合。宽工作温度范围：从-40°C到125°C的工作温度范围，使其能够在各种极端环境下保持稳定运行。低输入阈值电流：最大仅

toshiba 东芝 TLP2368 光耦产品规格书 datasheet
UT61256.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

UT61256pdf
VK1625 LCD驱动芯片(ic)-3线接口，可通过指令进去省电模式

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时间：2021.11.10

上传者：crh18824662436

特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源或32.768KHz晶体振荡器•偏置电压（BIAS）固定为1/4•COM周期（DUTY）固定为1/8•内置显

VK1625 lcd 驱动芯片 ic3 接口可通指令进去省电模式
Wayking RadarSensors_LRR7710_中英文产品手册

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时间：2023.11.28

上传者：雷达客

WaykingRadarSensors_LRR7710_中英文产品手册

Wayking RadarSensors LRR7710 产品手册
WIGGLER小板原理图

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时间：2020.06.17

上传者：zendy_731593397

WIGGLER小板原理图

wiggler 小板原理图
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
XPD738规格书 USB双口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD738是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD）2.0/3.0以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星A

XPD738 规格书 usb 双口控制器
YM12864I.pdf

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时间：2021.04.27

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ZLG7289.PDF

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

ZLG7289PDF
ZLG7289B

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

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ZLG7289B
【50N06 30N06 20N06 25N06 35N06 60V贴片MOS管】惠海半导体

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时间：2021.06.22

上传者：东莞市惠海半导体

场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路
【AO4611-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4611丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±60V-额定电流：6.5A/-5A-RDS(ON)：28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4

AO4611VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2

APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
【IRF540NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRF540NPBF-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(

IRF540NPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
【IRF7453TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF7453TRPBF-VB丝印：VBA1203M品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：200V-最大电流：3A-RDS(ON)：300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压（

IRF7453TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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