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【RU20P4C-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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RU20P4C(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：RU20P4

RU20P4C VBsemi sot23 mos datasheet
【CPH3427-TL-E-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CPH3427-TL-E丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门

CPH3427TLE VBsemi sot23 mos datasheet
MBC-SAM9G20核心板产品说明

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时间：2020.03.13

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MBC-SAM9G20核心板产品说明……

电子元器件
PCB dianrong

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……
基于ADSP-BF537的视频SoC验证方案及其接口的设计

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时间：2020.03.16

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视频SoC规模的飞速增长,给FPGA验证带来很大挑战,大容量外部SDRAM以及更多的外设模块的采用,不但增加了硬件复杂度,也给相应驱动程序的调试带来很大难度.为了全面有效地进行FPGA验证,提出了一种

视频soc pga 验证平台
SC3010红外遥控发射集成电路

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时间：2020.01.06

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SC3010红外遥控发射集成电路……

士兰 sc3010
创佳彩电CJ42+8899CPNG6UR1应用数据表

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时间：2020.03.12

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创佳彩电CJ42+8899CPNG6UR1应用数据表……

电子元器件
国内外IC产业对比图

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时间：2020.03.16

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国内外IC产业对比图……

国内国外国内外
【SI2305CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2305CDS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

SI2305CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
ASIC设计中基于Verilog语言的inout

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时间：2020.03.13

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ASIC设计中基于Verilog语言的inout……

ASIC设计 Verilog语言 inout
93C46

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时间：2020.03.11

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CSI93C46/56/57/66/86是一种存储器可以定义为16位ORG引脚接Vcc或者定义为8位ORG引脚接GND的1K/2K/2K/4K/16K位的串行E2PROM每一个的存储器都可以通过DI引

存储器 eeprom
内含DAC及键盘控制器的触摸屏控制器MAX1233/MAX1234(下)

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时间：2020.01.07

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MAX1233/MAX1234内嵌DAC的特性及使用方法,重点分析了键盘控制器的结构、寄存器设置、按键检测及中断请求、去键抖动和读写数据等过程,以及温度传感器和电池电压监视器的工作原理、寄存器设置和使

DAC 键盘控制器温度传感器
飞思卡尔的PCB布局布线应用笔记

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时间：2020.01.07

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飞思卡尔的PCB布局布线应用笔记……

pcb制版
PCB加工流程图解演示教程

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时间：2020.01.06

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PCB加工流程图解演示教程……

pcb 加工流程图解
GaInP_GaAs HBT MMIC分布式放大器NDA-212

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时间：2020.03.13

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GaInP_GaAsHBTMMIC分布式放大器NDA-212……

电子元器件
介绍CY7C441 CY7C443 CY7451 CY7C453定时先进先出存储

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时间：2020.03.13

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介绍CY7C441CY7C443CY7451CY7C453定时先进先出存储器系列的基本性能和工作……

电子元器件
介绍Cypress的定时 FIFO存储器的基本工作和特性

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时间：2020.03.13

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介绍Cypress的定时FIFO存储器的基本工作和特性……

电子元器件

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