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    QFN28烧写座使用指南……
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    《扩散工艺》作业第二章《扩散工艺》作业1、1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散,直到磷的固溶度极限。扩散时间为20分钟。预淀积后,硅片表面被密封并在1100℃下做推进扩散。为获得4.0μm的结深,推
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    微电子IC制造……
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    PSPICE教程下载……
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    刻蚀工艺……
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    第六章光刻工艺(下篇)……
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    第六章光刻工艺(上篇)问题?在同一集成电路制造流程中,经历了同样的一系列加工工艺后:如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、不同结构和尺寸的元件?如何把这些数以亿计的元件集成在一起获得所要求的电路
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    pspice的使用方法说明……
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    化学气相淀积xcl第五章化学气相淀积§1定义及反应方程式一、化学气相淀积定义:指使一种或数种物质的气体,以某种方式激活后,在衬底发生化学反应,并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为“Chemic
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    离子注入xcl第四章离子注入工艺§1离子注入工艺设备及原理一.离子注入工艺设备结构2005-3-3012005-3-302图4.1离子注入机结构图4.2离子注入机原理图2005-3-3032005-3
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    PROTEL上电子元件图的绘制……
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    扩散工艺原理第三章扩散工艺三、杂质扩散§1.扩散原理1.恒定表面源扩散扩散过程中,硅片表面杂质浓度始§2.典型工艺终不变这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。其扩散后杂质浓度分布§3.扩散方法为余误差函数
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    整流二极管……
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    面向手机的DC-DC转换器用绕线型功率电感面向手机的DC-DC转换器用绕线型功率电感前言手机、便携音乐播放器、便携式游戏机、笔记本电脑等各种便携式电子产品存在于我们的日常生活中。这些便携式电子产品由电
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    多层片式,瓷介,电容器,MLCC,性质特征,性能测试电子元件技术www.cntronics.com电路设计左右手!【JSK--03版】多层片式瓷介电容器(MLCC)编写:大兵(山树湾)一九九九年一月(
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    片状钽电容失效分析第3期电子元件与材料Vol.23No.32004年3月ELECTRONICCOMPONENTS&MATERIALSMar.2004阻容元件片状钽电容器失效分析刘家欣肖大雏王宾如武汉大