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8mm 集成四次谐波混频器(论文)

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8mm集成四次谐波混频器mm集成四次谐波混频器戈江娜李书科王长河河北石家庄050051中国电子科技集团第十三研究所摘要本文介绍了一种新颖的8mm混合集成四次谐波混频器电路及设计方法混频器使用一只反向并

集成四次谐波
BFG425W放大器应用电路

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BFG425W放大器应用电路,BFG425W应用电路……

bfg425w 应用电路
Agilent Gvenesys8.0安装程序

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AgilentGvenesys8.0安装程序,GENESYS8_0……

genesys8
CMOS Technology for Wireless C...

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CMOSTechnologyforWirelessCommunicationsCMOSTechnologyforWirelessCommunicationsAliM.NiknejadBerkeleyW

technology wireless communications
安捷伦ＲＦ培训资料，新人适用！－－ＡＭ

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安捷伦ＲＦ培训资料，新人适用！－－ＡＭ,Agilent-AM……

agilent-am
关于RF Measurement的一些论文，含很多de-em...

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关于RFMeasurement的一些论文，含很多de-em...,de-embedding……

de-embedding
散热的问题 -及解决方案

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散热的问题-及解决方案,05122……

05122
调制技术基础

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调制技术基础RF&Microwavee-AcademyProgramPowerfultoolsthatkeepyouontopofyourgameRFCM101:调制引论Technicaldatais

调制技术基础
AD6644的资料

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AD6644传aFEATURES65MSPSGuaranteedSampleRate40MSPSVersionAvailableSamplingJitter14-Bit,40MSPS/65MSPSA/

ad6644
罗德的信号源培训

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信号源培训数字信号源SMU200Awww.rohde-schwarz.com.cnRohde&Schwarz中国培训中心……

信号源培
【CMD20N06L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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型号:CMD20N06L-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V-静态导通电阻(RDS

CMD20N06LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
振荡器的设计基础知识

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振荡器的设计基础知识(4)MicrowaveOscillatorDesignApplicationNoteA008NOTE:Thispublicationisareprintofapreviously

振荡器的设计
讲RF测量技术(Measurement Techniques...

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MeasurementTechniquesMeasurementTechniquesLarsVestlingAdvancedsemiconductordevicesforhigh-frequencya

measurement techniques
Techniques for VNA Measurement...

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TechniquesforVNAMeasurementsofNon-insertableDevicesTECHNICALARTICLETechniquesforVNAMeasurementsofNon

techniques measurements non-insertable
RF components

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RF_Passive42.4GHzLTCCHigh-Rejection-RateFilter(2)IntersilWLANsolution¤zZ°TWv¤§G1.WirelessLAN:RF-IF=2

passive
RFDI工作频率和典型应用

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RFDI工作频率和典型应用RFID工作频率指南和典型应用德州仪器半导体技术(上海)有限公司胡洪洲目前定义RFID产品的工作频率有低频、高频和甚高频的频率范围内的符合不同标准的不同的产品,而且不同频段的

工作频率和典
用APT MOSFET制作简单便宜的高效功率放大器

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