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【IRLR3636TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：IRLR3636TRPBF-VB丝印：VBE1606品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：110A-开通电阻（RDS(ON)）：4.5mΩ@10Vgs、15

IRLR3636TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
波导与同轴连接器数据手册

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时间：2020.02.18

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波导与同轴连接器数据手册,波导与同轴连接器数据手册……

波导与同轴连
好东东---------概念集锦

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时间：2020.02.18

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好东东---------概念集锦,概念集锦……

概念集锦
【NTJD4001NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:NTJD4001NT1G-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:2A-静态导通电阻(RDS(ON)):150mΩ@4.5V,1

NTJD4001NT1GVB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
全英文资料-关于调制/接收机设计/误码率的一些文章

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全英文资料-关于调制/接收机设计/误码率的一些文章,Digitalmodschemes&receivers……

digital schemes receivers
【40N06 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：40N06TO252-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：60V-额定电流（Id）：45A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@

40N06 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
一片小文章，做广播功放的可能感兴趣。

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HFE0503_LeongHighFrequencyDesignBROADBANDDESIGNFromMay2003HighFrequencyElectronicsCopyright2003Summi

hfe0503 leong
Introduction to SoC Design and...

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IntroductiontoSoCDesignand...,01_intro……

intro
RF AND MICROWAVE POWER AMP DES...

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RFANDMICROWAVEPOWERAMPDESIGNDr.AndreiGrebennikov(grandrei@ieee.org)M/A-COMEurotecOperationsLoughmaho

microwave power Design
电磁场微波技术与天线 PPT 盛振华

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电磁场微波技术与天线PPT盛振华,电磁场微波技术与天线PPT盛振华……

电磁场微波技
很棒的教材--数字微波通信

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很棒的教材--数字微波通信,数字微波通信[1]……

数字微波通信
创建天线项目

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创建天线项目2创建天线项目CreatetheAntennaProject本章中你的目标是：•创建一个用于存放样本问题的项目目录。•创建一个项目用于保存天线问题。时间：完成这章的内容总共大约要10分钟。

创建天线项目
CDMA-CDMA2000标准体系

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CDMA-CDMA2000标准体系,CDMA-CDMA2000标准体系……

cdma-cdma2000 标准体系
调制谱成因分析（RFMD）

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调制谱成因分析（RFMD）,GSM调制谱问题的部分原因……

调制谱问题的
射频电路设计教材

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射频教材……

射频教材
ADS2009下载及cr@ck

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【SI2371EDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2371EDS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-5.6A-导通电阻（RDS(ON)）：47m

SI2371EDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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