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超小体积低功耗1/单键单感应通道触摸检测芯片VKD233DG DFN6封装

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时间：2021.12.22

上传者：crh18824662436

产品型号：VKD233DG产品品牌：永嘉微电/VINKA封装形式：DFN6产品年份：新年份工程服务，技术支持VKD233DG概述：VKD233DGDFN6是单按键触摸检测芯片,此触摸检测芯片内建稳压电
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时间：2021.04.23

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音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

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免费－电源设计培训资料

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时间：2020.02.26

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电源设计培训资料TechnicalTrainingAdlsongSMPSTopologiesTheBuckConverterBuckBuckConverterStepDownVoltageRegula

电源设计培训
【NDT452AP-NL-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDT452AP-NL-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-40V-最大电流：-6A-开态电阻(RDS(ON))：42mΩ@10V,49mΩ@4.5V,20Vg

NDT452APNLVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【2SK2503-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2SK2503-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，85mΩ@

2SK2503VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【TK8S06K3L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：TK8S06K3L-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，85m

TK8S06K3LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM7313KC-TRL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM7313KC-TRL-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：6.8A（上管），6.0A（下管）-静态漏极-源极电阻（R

APM7313KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

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【APM3020PUC-TRL-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM3020PUC-TRL-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V

APM3020PUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
RD8P1520兼容义隆单片机EM78P153S/K/B

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时间：2022.07.15

上传者：锐帝电子

RD8P1520兼容义隆单片机EM78P153S/K/B

RD8P1520 兼容义隆单片机 EM78P153SKB
反激式开关电源原理

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时间：2019.08.15

上传者：328230725_895182095

目录一．开关电源总框图：二．原理图三．电源输入四．电源输出五．整流桥和滤波电路六．漏极钳位保护七．反馈电路八．输出电路九．变压器十．PCB十一．元件清单

开关电源
电子基础知识免费的

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时间：2020.02.11

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电子基础知识免费的,电子基础知识……

电子基础知识
【AOD425-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AOD425-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-40A-静态导通电阻(RDS(ON)):18mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

AOD425VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AP40P03GH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP40P03GH-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-40A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V，2

AP40P03GHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【HAT2016RJ-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:HAT2016RJ-VB丝印:VBA3328品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:6.8A(其中一个通道),6.0A(另一个通道)-静态导通电阻(RDS(ON)

HAT2016RJVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
VKD232C电容式双按键触摸芯片工作电流 @VDD=3V，无负载

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时间：2022.02.22

上传者：苹果6626

型号：VKD232C品牌：VINKA/永嘉微电封装形式：SOT23-6年份：新年份概述:VKD232CVinTouchTMIC为电容感测设计，专门用于触摸板控制，装置内建稳压电路给触摸感应电路使用，稳
SP5623高性能内置MOS低功耗开关电源控制芯片

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时间：2021.06.29

上传者：ledsuperb

SP5623高性能内置MOS低功耗开关电源控制芯片

SP5623

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