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    时间:2023.12.28
    上传者:VBsemi
    型号:SQ9945BEY-T1-GE3丝印:VBA3638品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:2个N沟道MOSFET-最大耐压:60V-最大电流:6A-导通电阻:27mΩ@10V,32mΩ@4.5
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    时间:2024.02.21
    上传者:VBsemi
    型号:SI9945BDY-T1-E3丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):6A -开通电阻
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    时间:2021.04.30
    上传者:Argent
    随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
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    时间:2021.04.27
    上传者:Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
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    时间:2020.02.11
    上传者:微风DS
    Jtag原理OPEN-JTAGARMJTAG调试原理OPEN-JTAG开发小组1前言这篇文章主要介绍ARMJTAG调试的基本原理。基本的内容包括了TAP(TESTACCESSPORT)和BOUNDAR
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    时间:2021.04.26
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    随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
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    时间:2020.02.17
    上传者:微风DS
    终端短路圆杆交指带通滤波器的设计电讯技术2006年第3期 文章编号:1001-893X(2006)03-0033-04基金项目论文FOUNDATIONSUPPORTEDPROJECT终端短路
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    时间:2021.03.26
    上传者:Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2021.04.26
    上传者:Argent
    随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
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    时间:2024.02.27
    上传者:VBsemi
    型号:AO4441-VB丝印:VBA2658品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-最大耐压:-60V-最大持续电流:-6A-开通电阻(RDS(ON)):50mΩ@10Vgs、61mΩ@4.5Vg
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    时间:2021.04.26
    上传者:Argent
    随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
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    时间:2021.06.18
    上传者:ledsuperb
    SP6648HF高性能低功耗开关电源控制芯片做PD18W快充
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    时间:2024.02.27
    上传者:VBsemi
    型号:MGSF2N02ELT1G-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:6A-导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@4.5V,33m
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    时间:2019.05.31
    上传者:feiniao2008
    随着科学技术的发展,锁相环PLL是自动频率控制和自动相位控制技术的融合。鉴于其在通讯、航海、军事等发面的广泛应用,研究锁相环电路的特性有助于了解和提高锁相环电路的性能指标,使其在各领域得到更为广泛的应
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    时间:2021.09.29
    上传者:Argent
    电子产品日新月异,不管是硬件工程师还是软件工程师,基本的模电、数电、微机原理、信号处理等知识是必备的条件,从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,
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    时间:2020.02.19
    上传者:二不过三
    实时频谱分析基本知识(免费),实时频谱分析基本知识……
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    时间:2024.02.27
    上传者:VBsemi
    型号:MDD1754RH-VB丝印:VBE1410品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:40V-最大连续漏极电流:50A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V,14m