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【IRFR48ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRFR48ZTRPBF-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：60A-开态电阻(RDS(ON))：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs

IRFR48ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
永嘉微电DFN6超小体积低功耗单键单通道感应触摸触控芯片VKD233DR资料

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时间：2021.12.22

上传者：crh18824662436

产品型号：VKD233DR产品品牌：永嘉微电/VINKA封装形式：DFN6产品年份：新年份工程服务，技术支持VDK233DR概述：VKD233DRDFN6是单按键触摸检测芯片,此触摸检测芯片内建稳压电
【IRFR540ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRFR540ZTRPBF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：40A-开态电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,2

IRFR540ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRFR540ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRFR540ZPBF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：40A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,31mΩ

IRFR540ZPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
AT8025功率2X8W+15W单芯片2.1 声道D类功放IC

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时间：2021.03.29

上传者：sandtech168

AT8025是一款单芯片2.1声道classD功放，内置三个通道的classD功放，具有90%以上的效率，无需使用外置散热片，外围电路极其简洁

AT8025 功放IC
android 打包，量产工具使用.pdf

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时间：2021.09.26

上传者：Argent

分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习

Android 打包量产工具使用 pdf
【IRF3710STRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:IRF3710STRPBF丝印:VBL1102N品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):70A -开通电阻(

IRF3710STRPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
AOD603A VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AOD603A（VBE5638）是一款N+P沟道MOS型晶体管，采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力，以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS(ON)

AOD603A VBsemi mosfet datasheet
【AP9435K-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AP9435K-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi详细参数说明：1.P沟道2.最大耐压：-40V3.最大工作电流：-6A4.开导电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V，49mΩ@4.5

AP9435KVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【IPP052NE7N3-G-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IPP052NE7N3G-VB丝印：VBM1808品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：80V-最大连续电流：100A-静态开启电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V,9mΩ@4

IPP052NE7N3GVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
数字频率计.doc

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时间：2021.04.25

上传者：Argent

随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

数字频率计 doc
【50N06 30N06 20N06 25N06 35N06 60V贴片MOS管】惠海半导体

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时间：2021.06.22

上传者：东莞市惠海半导体

场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路
远翔FP6291LR-G1 SOT-23-6 DC-DC升压转换器小风扇/移动电源应用

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时间：2022.03.31

上传者：yxl13828798872

描述FP6291为一颗CC（恒流）模式的PWM升压IC,适用于锂电池（3~4.2V）输出5V,1A的移动电源应用。FP6291封装为SOT23-6,工作频率为1MHZ,可以搭配3.3uh小型贴片电感，

远翔 FP6291LRG1 sot236 dcdc 升压转换器小风扇移动电源应用
3.2放大电路.doc

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

32 放大电路 doc
【NCE0117-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NCE0117-VB丝印：VBM1101M品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：18A-开态电阻(RDS(ON))：127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs

NCE0117VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【NDS9407-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：NDS9407-NL丝印：VBA2658品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-6A-导通电阻：50mΩ@10V,61mΩ@4.5V-门源电压

NDS9407NLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4920DY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：SI4920DY-T1-E3丝印：VBA3316品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：8.5A-导通电阻：20mΩ@10V,12mΩ@4.5

SI4920DYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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