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【AOD444-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
AOD444详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:60V-额定电流:18A-导通电阻:73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:2Vth(V)-封装类型:TO25
AOD444
VBsemi
TO252
mos
datasheet
FP7123降压恒流LED驱动IC 内置MOS调光频率高可达20K
所需E币:0
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大小:509.77KB
时间:2021.04.12
上传者:yxl13828798872
概述:FP7123產品特性說明 1.恆流輸出:IC內部有快速回授機制,輸出電流不受電感量、輸入電壓與輸出LED電壓影響。2.恆定電流紋波控制:FP7123會自動調整頻率,使LED上的電流紋波
【DTM4946-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:509.04KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:DTM4946-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:2个N沟道-额定电压:60V-最大电流:6A-静态导通电阻(RDS(ON)):27mΩ@10V-静态导通电阻(
DTM4946VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。应用
ACE2302BBMH
VBsemi
sot23
mos
Datashee
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
CMD5950详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-100V-额定电流:-40A-导通电阻:33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.92Vth(V)-封
CMD5950
VBsemi
TO252
封装
mos
datasheet
ANT8822自适应升压2×3W/3.7V超长续航,高信噪比AB/D类双模立体声音频功放
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时间:2021.07.12
上传者:ledsuperb
ANT8822自适应升压2×3W/3.7V超长续航,高信噪比AB/D类双模立体声音频功放
ANT8822
Smith圆图工具的小软件(免费)
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时间:2020.02.18
上传者:16245458_qq.com
Smith圆图工具的小软件(免费),Smith圆图工具……
smith
圆图
工具
【IRF7313TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:505.67KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:IRF7313TRPBF丝印:VBA3328品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:2个N沟道MOSFET-最大耐压:30V-最大电流:6.8A/6.0A-导通电阻:22mΩ@10V,26mΩ@
IRF7313TRPBFVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AO4800-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:505.25KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
型号:AO4800 丝印:VBA3328 品牌:VBsemi 参数:-频道类型:2个N沟道 -额定电压:30V -额定电流:6.8A(最大值)、6.0
AO4800
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
AD52060兼容替代TPA3110,AD52050兼容替代TPA3136
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下载:3
大小:504.92KB
时间:2023.03.01
上传者:sandtech168
AD52060兼容替代TPA3110,AD52050兼容替代TPA3136
AD52060
TPA3110
AD52050
TPA3136
Toshiba东芝光耦合器TLP2362产品规格书datasheet
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大小:504.54KB
时间:2024.09.03
上传者:东芝铠侠代理
1.高速数据传输TLP2362光耦合器能够支持高达25Mbps的数据传输速率。这一性能使得它能够在高速信号处理和传输的应用场景中表现出色。无论是在工业自动化系统中的实时数据传输,还是在通信设备中的高速
toshiba
东芝
光耦合器
TLP2362
产品
规格书
datasheet
【AO4401-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:503.14KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AO4401-VB丝印:VBA2333品牌:VBsemi详细参数说明:-P沟道-最大工作电压:-30V-最大工作电流:-6A-RDS(ON):40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压范围:
AO4401VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:502.47KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:RSS100N03TB-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:-N沟道-最大耐压:30V-最大漏电流:12A-静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20
RSS100N03TBVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
红外热成像-热搜热瞄机芯热成像机芯
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大小:502.29KB
时间:2024.05.16
上传者:lingka
LC221机芯是灵卡技术为热搜和热瞄产品设计研发的专用红外机芯。其采用ASIC方案开发设计,探测器使用非制冷LWIR氧化钒红外探测器,分辨率为384x288或640x512。
红外热成像
热搜
热瞄
机芯
热成像
机芯
PWM 0/1-10V调光无屏闪方案 外置MOS异步升压LED驱动IC芯片FP7208
所需E币:0
下载:5
大小:502.23KB
时间:2021.04.12
上传者:yxl13828798872
FP7208是一颗异步升压LED驱动IC,控制外部开关NMOS,反馈电压默认为0.104V,最大是0.204V,反馈电压低,取样电阻功率损耗也降低,整体转换效率提升。 软启动时间透过外部电容
【4800AGM-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:4800AGM-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:12A-静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O
4800AGMVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
杰克.韦尔奇与通用之路(中文免费)
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大小:501.34KB
时间:2020.02.11
上传者:238112554_qq
杰克.韦尔奇与通用之路(中文免费),杰克……
杰克
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