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XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
【FDS6673BZ-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:FDS6673BZ-NL丝印:VBA2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-11A -开通电阻(R

FDS6673BZNLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4953ADY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：该型号VBsemiSI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的P沟道MOSFET。它具有两个P沟道，工作电压为-30V，最大电流为-7A。其在10V下的导通电阻为35mΩ，在

SI4953ADYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
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时间：2021.04.23

上传者：Argent

音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

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【AO4430-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4430丝印：VBA1303品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：18A-导通电阻：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源电压：20Vg

AO4430VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STM4639-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

STM4639详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-11A-导通电阻：11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.5Vth(V)-封装类

STM4639VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MMDF3P03HDR2G-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MMDF3P03HDR2G-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-7A-导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@

MMDF3P03HDR2GVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4410-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4410丝印：VBA1303品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：18A-导通电阻：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源电压：20Vg

AO4410VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
virtex_lab_answers.doc

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

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【NTMD4840NR2G-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTMD4840NR2G-VB丝印：VBA3316品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道场效应管(N-channelMOSFET)-额定电压：30V-额定电流：8.5A-漏极电阻：RDS(ON)

NTMD4840NR2GVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
VINKA低功耗单键触摸触控检测芯片VKD233HH SOT23-6,超小体积封装

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时间：2021.12.23

上传者：crh18824662436

VKD233HH概述:VKD233HH是单按键触摸检测芯片,此触摸检测芯片内建稳压电路,提供稳定的电压给触摸感应电路使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代传统按
【AOD4184-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AOD4184丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs

AOD4184 VBsemi TO252 mos datasheet
信号链基础20.PDF

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

信号链基础 20pdf
USB充电触摸打火机电子点烟器专用芯片SM5101

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时间：2021.02.01

上传者：13652313961

SM5101是一款针对电子点烟器的专用芯片，具有完整的充电功能和完善的电池保护功能，还具有触摸控制开关。SM5101具有发热丝短路保护功能，在负载电阻小于0.8Ω电阻时输出截止。SM5101还具有省电

usb 充电触摸打火机电子点烟器打火机专用芯片 SM5101
【AO4409-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

AO4409详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-11A-导通电阻:11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V)-封装类型

AO4409VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRFR4620TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

IRFR4620TRPBF详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：200V-额定电流：25A-导通电阻：54mΩ@10V,112mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：3.2Vth(V

IRFR4620TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【HAT1024RJ-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：HAT1024RJ-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-静态开启电阻(RDS(ON))：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V

HAT1024RJVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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