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【SI9424DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：SI9424DY-T1-E3-VB-丝印：VBA2216-品牌：VBsemi-参数：P沟道，-20V，-8A，RDS(ON)，16mΩ@4.5V，19.2mΩ@2.5V，15Vg

SI9424DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
西克OL1操作说明书

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时间：2022.04.20

上传者：We1

西克OLI中文操作说明书

西克 OL1 操作说明书
op07d.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

op07dpdf
【IRF7404TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRF7404TRPBF-VB丝印:VBA2216品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-20V-最大电流:-8A-静态导通电阻(RDS(ON)):16mΩ@4.5V,1

IRF7404TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
ANSOFT内部培训笔记！！！（继续上传）免费得

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时间：2020.02.24

上传者：微风DS

ANSOFT内部培训笔记！！！（继续上传）免费得,ANsoftHFSSTraining7……

ansoft training
【SI4948BEY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4948BEY-T1-E3-VB丝印：VBA4658品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-额定电压（Vds）：-60V-最大持续电流（Id）：-5.3A-导通电阻（RDS(ON)）：5

SI4948BEYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDT86113LZ-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：FDT86113LZ丝印：VBJ1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：5A-导通电阻：100mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源

FDT86113LZVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NDS9948-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NDS9948-NL-VB-丝印：VBA4658-品牌：VBsemi-沟道类型：P沟道-工作电压：-60V-最大漏极电流：-5.3A-RDS(ON)：58mΩ@10V,70mΩ@

NDS9948NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【BSS84-7-F-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：BSS84-7-F丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-0.5A-RDS(ON)：3000mΩ@10V，3680mΩ@4.5V-门源电压范

BSS847F VBsemi sot23 mos datasheet
【SI4435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI4435DY-T1-E3(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs

SI4435DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
无刷直流电机反电动势过零检测及其相位补偿.pdf

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时间：2021.10.11

上传者：Argent

从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻电容电感，每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想

无刷直流电机反电动势过零检测相位补偿 pdf
【NCE2014ES-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE2014ES-VB 丝印：VBA1206 品牌：VBsemi 参数说明：-类型：N沟道 -额定电压：20V -额定电流：15A

NCE2014ESVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7416TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRF7416TRPBF(VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.37V，封装：

IRF7416TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【BSP030-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

BSP030参数：N沟道,30V,7A,RDS(ON)25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.5Vth(V),SOT223应用简介：BSP030是一款适用于中高功率应用的N沟道M

BSP030 VBsemi SOT223 mos datasheet
IC查查网-MX25L512

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时间：2020.09.28

上传者：丸子~

IC查查网-MX25L512

ic 查查 mx25l512
EDA_8_Logic_synthesis-0.pdf

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

EDA8Logicsynthesis0pdf
【SI4825DDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4825DDY-T1-E3-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-11A-开态电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V

SI4825DDYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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