消费电子-消耗E币(免费)资料下载

再上传一个，有关tvs管的资料，希望能帮助大家（免费）

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时间：2020.02.25

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tvs应用指南瞬态电压抑制二极管应用指南第一章TVS器件的特点、电特性和主要电参数一、TVS器件的特点瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时

应用指南
virtex_lab.doc

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

virtexlabdoc
ESP8266 SDK应用笔记固件下载协议-v1.0.pdf

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时间：2021.03.30

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现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于ESP8266无线传输模块应用开发资料，欢迎下载学习。

esp8266 sdk 应用笔记固件下载协议 V10pdf
【IRLR3110ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR3110ZPBF(VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。应用简介：I

IRLR3110ZPBF VBsemi TO252 mos datasheet
PSX_PS2游戏手柄机械臂控制说明书

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时间：2020.06.19

上传者：zendy_731593397

PSX_PS2游戏手柄机械臂控制说明书

PSXPS2 游戏手柄机械臂控制说明书
《Verilog硬件描述语言描述》－免费

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时间：2020.02.14

上传者：16245458_qq.com

《Verilog硬件描述语言描述》－免费,Verilog硬件描述语言描述[1]……

verilog 硬件描述
【FDD6637-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:FDD6637丝印:VBE2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-60A -开通电阻(RDS(ON

FDD6637VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI4413DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI4413DY-T1-E3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：**VBA2311**品牌：**VBs

SI4413DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STB60N06-14-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STB60N06-14-VB丝印：VBL1615品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：75A-开通电阻（RDS(ON)）：11mΩ@10Vgs、12mΩ@4

STB60N0614VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
BL0910物联网计量，BL0937B单相,内置振荡器,有功电能,有效值,电能计量，BL0939 内置时钟免校准计量芯片。 ...

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时间：2023.09.25

上传者：香港润芯小云

BL0937B是一颗宽量程单相多功能电能计量芯片，适用于单相插座表、单相插排、智能家电控制电路等应用，具有较高的性价比。BL0939免校准、用电安全监测、双路、可多路级联. 十相
音频放大器的增益计算（中文免费）

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时间：2020.02.25

上传者：givh79_163.com

音频放大器的增益计算52RD-wanghahaxiao-音频放大器的增益音频放大器的增益计算摘要这篇应用文章介绍了不同类型音频功放的结构如单端桥接和全差分音频放大器每种音频功放都配以图表加以解释并且有

音频放大器的
【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S

SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
A20 brief 20130306.pdf

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时间：2021.03.26

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全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

a20 brief 20130306pdf
【IRFR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号IRFR024NTRPBF-VB是VBsemi品牌生产的功率MOSFET器件。其主要参数如下：-极性：N沟道-工作电压：60V-额定电流：18A-开通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-

IRFR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRLR024NTRPBF-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-额定栅极源极电压：20V

IRLR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NID6002NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NID6002NT4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，8

NID6002NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDT434P-NL-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDT434P-NL-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-40V-工作电流：-6A-开通电阻：42mΩ（@10V），49mΩ（@4.5V）-门楼电压：±20V-

FDT434PNLVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet

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