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【IRLR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRLR024NTRPBF-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-额定栅极源极电压：20V

IRLR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NID6002NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NID6002NT4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，8

NID6002NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDT434P-NL-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDT434P-NL-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-40V-工作电流：-6A-开通电阻：42mΩ（@10V），49mΩ（@4.5V）-门楼电压：±20V-

FDT434PNLVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NDT456P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDT456P-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-40V-最大持续电流（Id）：-6A-导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V,49mΩ

NDT456PVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
H5TQ4G4(8_6)3AFR(Rev1.0).pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

H5TQ4G4863AFRRev10pdf
FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管，其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管，具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V，最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻（RD

FDC5614P VBsemi mosfet datasheet
【SQD40P10-40L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SQD40P10-40L-GE3-VB丝印：VBE2104N品牌：VBsemi参数：P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs(±V)；-1.

SQD40P1040LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
单极霍尔开关HAL3144E 开关型霍尔资料PDF下载

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时间：2021.06.22

上传者：hallwee

单极霍尔开关，HAL3144E，开关型，霍尔，资料，PDF，下载

单极霍尔开关 HAL3144E 开关型霍尔资料 pdf 下载
单极霍尔开关测速霍尔HAL580 PDF资料下载

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时间：2021.06.22

上传者：hallwee

单极霍尔开关，测速，霍尔，HAL580，PDF，资料，下载

单极霍尔开关测速霍尔 HAL580 pdf 资料下载
LT1028.pdf

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时间：2021.04.23

上传者：Argent

音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

LT1028pdf
【IRF530NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:IRF530NPBF丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):18A -开通电阻(RDS

IRF530NPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【SQD50P06-15L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：SQD50P06-15L-GE3丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.

SQD50P0615LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【KD3422A-VB】N沟道SOT23-3L封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：KD3422A-VB丝印：VBB1630品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：5.5A-导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,36mΩ@4.

KD3422AVB 沟道 SOT233L 封装 mos datasheet
TOSHIBA东芝光耦TLP185产品规格书datasheet

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时间：2024.08.16

上传者：东芝铠侠代理

1.高隔离电压:TLP185提供3750Vrms的高隔离电压，这对于保护敏感组件免受高电压差异至关重要。此特性在工业应用中尤其有用，因为设备经常暴露在不同的电压水平下。2.紧凑的封装:TLP185的一

toshiba 东芝光耦 tlp185 产品规格书 datasheet
测速霍尔开关HAL581 单极霍尔开关HAL581 PDF资料下载

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时间：2021.06.22

上传者：hallwee

测速，霍尔开关，HAL581，单极霍尔开关，HAL581，PDF，资料，下载

测速霍尔开关 HAL581 单极霍尔开关 HAL581 pdf 资料下载
【STP80NF55-08-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:STP80NF55-08-VB丝印:VBM1606品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:120A-静态导通电阻(RDS(ON)):5mΩ@10V-静态导通电阻(

STP80NF5508VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【TJ30S06M3L-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：TJ30S06M3L丝印：VBE2625品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-50A-RDS(ON)：20mΩ@10V，25mΩ@4.5V-门源电压范围：2

TJ30S06M3LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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