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【FR5305-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：FR5305丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：20

FR5305 VBsemi TO252 mos datasheet
【FDS4953-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDS4953-NL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道（2个）-额定电压：-30V-最大连续电流：-7A-静态开启电阻（RDS(ON)）：35mΩ@10V,48

FDS4953NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7303TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7303TRPBF-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：双N沟道MOSFET-额定工作电压：30V-额定漏极电流：6.8A（2个N沟道并联）-开启电阻RDS(O

IRF7303TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
IRFR9120NTRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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VBsemi推出了其最新的MOS管产品，型号为IRFR9120NTRPBF，丝印型号为VBE2102M。这款MOS管属于P沟道类型，具有出色的性能特点。它支持最大-100V的耐压，能够承受高达-10A

IRFR9120NTRPBF VBsemi mosfet datasheet
CS5216电路|CS5216 demoboard参考电路|CS5216 电路设计方案

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时间：2021.05.21

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CS5216是一款单端口HDMI/DVI电平转换器/中继器，具有重新定时功能。它支持交流和直流耦合TMDS信号高达3.0-Gbps的操作与可编程均衡和抖动清洗。它包括2路双模DP电缆适配器

CS5216 CS5216电路 CS5216demoboard CS5216设计方案
【CEM4953-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：CEM4953-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@10V,48mΩ@

CEM4953VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD240(VBE1405)参数说明：N沟道，40V，85A，导通电阻4mΩ@10V，5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.85V，封装：TO252。应用简介：AOD240适用于

AOD240 VBsemi TO252 mos datasheet
FDTD软件Empire设计UWB天线（免费）

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时间：2020.02.24

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an_empire-uwb2NewsReleaseUWB……

empire-uwb2
频率源综述.doc 免费

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时间：2020.02.21

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频率源综述频率源综述在变频器进行频率变换时,需要有微波频率源给混频器提供本振信号，才能得到所希望的频率。因此，在卫星地球站微波设备中，微波频率源成了很重要的组成部分。1、概述卫星通信，尤其是数字卫星通

频率源综
【FQU13N10L-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：FQU13N10L丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：100V -额定电流：15A -RDS(ON)：115mΩ@10V

FQU13N10L VBsemi TO251 mos datasheet
MAX232.pdf

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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

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【SUD50P04-13L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SUD50P04-13L-GE3-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(

SUD50P0413LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
全球光伏发电项目汇总（二）.pdf

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时间：2020.12.30

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光伏产业是现代新能源的代表性产物，本人收集了一些关于光伏知识的资料，能够让你全面认识光伏产业的工艺生产流程。随着太阳能电池转换率的不断提高，得到了不少消费者的认可。现在太阳能路灯应用广泛，有对光伏产业

全球光伏发电项目汇总 pdf
max232cse.pdf

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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

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【IRFR120NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRFR120NTRPBF(VBE1101M)参数说明：N沟道，100V，18A，导通电阻115mΩ@10V，121mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.6V，封装：TO252。应用

IRFR120NTRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
硬件设计指南（免费）

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时间：2020.02.12

上传者：rdg1993

硬件设计指南（免费）,硬件设计指南……

硬件设计指南
电量采集，超低电压升压，替代LTC3108

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时间：2022.01.05

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ZCC1708超低压电源管理电路说明：ZCC1708是一款高集成度的直流电源转换器，用于收集和管理来自极低输入电压源的剩余能量，例如TEG（热电发电机），热电堆和小型太阳能电池。升压拓扑工作在输入低至

电量采集超低电压升压替代 ltc3108

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