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ANT6802功率60W输出同步高效升压芯片

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时间：2021.04.12

上传者：sandtech168

ANT6802功率60W输出同步高效升压芯片

ANT6802 升压芯片
【AOD409-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD409(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：AOD40

AOD409 VBsemi TO252 mos datasheet
【MTD20N03HDLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MTD20N03HDLT4G-VB 丝印：VBE1310 品牌：VBsemi 参数说明：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：7

MTD20N03HDLT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD5806NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NTD5806NT4G参数：N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V);TO252；应用简介：NTD5806NT4G是一款N

NTD5806NT4G VBsemi TO252 mos datasheet
印刷入门(免费)

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时间：2020.02.28

上传者：wsu_w_hotmail.com

印刷入门。印刷电路板入门什么是PCB？印刷电路板（Printedcircuitboard，PCB）几乎会出现在每一种电子设备当中。如果在某样设备中有电子零件，那么它们也都是镶在大小各异的PCB上。除了

印刷入门
【IRF9530NPBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-100V-最大漏极电流：-18A-导通时的电阻（RDS(ON)）：167mΩ@10V,178mΩ@4.5V-栅极电压（Vgs

IRF9530NPBF VBsemi to220 mos datasheet
FS312支持USBType-C端口PD快充协议智能触发芯片，FS312多种快充协议诱骗器

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时间：2021.12.22

上传者：ledsuperb

FS312支持USBType-C端口PD快充协议智能触发芯片，FS312多种快充协议诱骗器

FS312
【APM4330KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4330KC-TRL-VB丝印：VBA1303品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：18A-RDS(ON)：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源极电压：20V

APM4330KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4437-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4437-VB丝印：VBA2216品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-8A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：16mΩ@4.5V，19.2

AO4437VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTD5865NL-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTD5865NL-1G-VB丝印：VBFB1615品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：50A-开通电阻：10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V)

NTD5865NL1GVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【SI4465ADY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:SI4465ADY-T1-E3-VB丝印:VBA2309品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-11A-静态导通电阻(RDS(ON)):11mΩ@10

SI4465ADYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ME2323D-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ME2323D-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-开态电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V

ME2323DVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AF2301P-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AF2301P-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，83mΩ

AF2301PVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
第一讲：大数据基础入门.pdf

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时间：2021.10.11

上传者：Argent

从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻电容电感，每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想

一讲大数据基础入门 pdf
【FTP540-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FTP540-VB丝印：VBM1104N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：100V-最大电流：55A-静态开启电阻(RDS(ON))：36mΩ@10V,38mΩ@4.5V-门源极

FTP540VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【IPD036N04LG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

参数说明：-型号：IPD036N04LG-VB-丝印：VBE1405-品牌：VBsemi-N沟道-最大额定电压：40V-最大额定电流：85A-RDS(ON)：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vg

IPD036N04LGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLMS2002TRPBF-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRLMS2002TRPBF-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：6A-RDS(ON)：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源电压（Vgs

IRLMS2002TRPBFVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet

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